[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202010185960.5 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111415994A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;李泠;陆丛研;王嘉玮;耿玓;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/34;H01L31/113;H01L31/18;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
栅极，设置于所述衬底上表面；
有源层，覆盖在所述衬底的上表面，在所述栅极与所述有源层之间形成腔体结构；其中，所述腔体结构用于容纳气体介质形成栅介质层；
源极和漏极，间隔的覆盖在所述有源层的两侧表面。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极嵌于所衬底的上表面的凹槽内。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极的厚度与所述凹槽的深度相同。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅介质层的宽度大于所述栅极。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极的一边部和所述漏极的一边部均延伸至所述衬底上表面。
6.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上方制作覆盖栅极的牺牲层；
制作覆盖在所述牺牲层上的有源层；
在所述有源层上表面的两侧分别制作源极和漏极；
刻蚀所述牺牲层，以去除所述牺牲层形成腔体结构的栅介质层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在衬底上方制作覆盖栅极的牺牲层之前，还包括：
在所述衬底上形成凹槽；
在所述凹槽内填充金属材料，形成所述栅极。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述凹槽内填充金属材料，形成所述栅极，包括：
在所述凹槽内填充与所述凹槽深度相同的金属材料，形成所述栅极。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在衬底上方制作覆盖栅极的牺牲层，包括：
在所述衬底上方制作覆盖所述栅极且宽度大于所述栅极的所述牺牲层。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述有源层上表面的两侧分别制作源极和漏极，包括：
在所述有源层上表面的两侧分别制作延伸至衬底的源极和漏极。
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