[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，其至少具有：

在硅基板表面进行碳或含碳分子的离子注入A的工序、与

进行掺杂剂的离子注入B的工序，

并包含对进行所述离子注入A及所述离子注入B后的所述硅基板进行热处理B，减少所述硅基板的所述掺杂剂的离子注入残留缺陷的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在进行所述离子注入A的工序后，进一步包含进行热处理A，减少所述碳或含碳分子的离子注入残留缺陷的工序。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述离子注入A的剂量设为1×10¹¹atoms/cm²以上且所述硅基板的一部分发生无定形化的临界剂量以下。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述离子注入A的剂量设为1×10¹¹atoms/cm²以上且所述硅基板的一部分发生无定形化的临界剂量以下。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述离子注入B的剂量设为1×10¹¹atoms/cm²以上且1×10¹⁶atoms/cm²以下。

6.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述离子注入B的剂量设为1×10¹¹atoms/cm²以上且1×10¹⁶atoms/cm²以下。

7.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述离子注入B的剂量设为1×10¹¹atoms/cm²以上且1×10¹⁶atoms/cm²以下。

8.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述离子注入B的剂量设为1×10¹¹atoms/cm²以上且1×10¹⁶atoms/cm²以下。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将通过所述离子注入A而注入的碳的距所述硅基板的表面的峰值位置R_A、与通过所述离子注入B而注入的掺杂剂的距所述硅基板的表面的峰值位置R_B的关系设为R_A＜R_B。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将通过所述离子注入A而注入的碳的峰值浓度设为通过所述离子注入B而注入的掺杂剂的峰值浓度的1/5以上。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，通过快速热退火进行所述热处理B。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述热处理B的热处理条件设为在800℃以上且1300℃以下的温度下，保持0.1秒以上且100秒以下的条件。

13.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，通过闪光灯退火进行所述热处理B。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，将所述热处理B的热处理条件设为在1000℃以上且1300℃以下的温度下，保持0.1毫秒以上且100毫秒以下的条件。