[发明专利]波长转换的半导体发光器件在审
申请号: | 202010186790.2 | 申请日: | 2014-07-03 |
公开(公告)号: | CN111509112A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | A.D.施里克;O.B.什彻金;H.H.蔡;P.J.施米德特 | 申请(专利权)人: | 亮锐控股有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/60;H01L25/075;H01L27/15 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐旭;陈岚 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波长 转换 半导体 发光 器件 | ||
1.一种波长转换器,包括:
波长转换陶瓷层,其被配置成将第一波长的光转换成更长第二波长的光;和
波长转换玻璃层,其设置在所述波长转换陶瓷层上且被配置成将所述第一波长的光转换成与所述第二波长不同的更长第三波长的光;
其中所述波长转换陶瓷层和所述波长转换玻璃层之间的界面被粗糙化。
2.如权利要求1所述的波长转换器,其中所述第二波长是红,并且所述第三波长是绿。
3.如权利要求1所述的波长转换器,其中所述波长转换陶瓷层和所述波长转换玻璃层具有成角的侧壁。
4.如权利要求1所述的波长转换器,其中:
所述波长转换陶瓷层和所述波长转换玻璃层形成波长转换构件;
所述波长转换构件的第一部分具有基本上竖直的侧壁;并且
所述波长转换构件的第二部分具有成角的侧壁。
5. 一种发光器件,包括:
包括发光层的半导体结构,所述发光层设置在n型区与p型区之间且被配置成发射第一波长的光;以及
设置在由所述发光层发射的光的路径中的如权利要求1所述的波长转换器。
6.如权利要求5所述的发光器件,其中所述波长转换陶瓷层设置在所述波长转换玻璃层和所述半导体结构之间。
7.根据权利要求6所述的发光器件,还包括反射材料,其中所述反射材料设置为与所述波长转换陶瓷层的侧壁、所述波长转换玻璃层的侧壁、以及所述半导体结构的侧壁中的每一个相邻。
8. 一种形成波长转换元件的方法,包括:
提供具有粗糙化的表面的波长转换陶瓷层;以及
在所述波长转换陶瓷层的粗糙化的表面上设置波长转换玻璃层以形成所述波长转换元件。
9.如权利要求8所述的方法,包括通过烧结磷光体粉末形成所述波长转换陶瓷层。
10.如权利要求8所述的方法,还包括在所述波长转换陶瓷层的粗糙化的表面上设置所述波长转换玻璃层之前,薄化所述波长转换陶瓷层。
11.如权利要求8所述的方法,还包括在所述波长转换玻璃层的粗糙化的表面上设置所述波长转换玻璃层之后,薄化所述波长转换陶瓷层。
12. 如权利要求8所述的方法,包括:
将所述波长转换元件切分为多个小板;以及
在所述切分之后,将小板附接至半导体发光器件。
13.如权利要求12所述的方法,其中将所述波长转换元件切分为多个小板包括在每个小板上形成成角的侧壁。
14. 根据权利要求12所述的方法,其中将所述波长转换元件切分为多个小板包括:
在每个小板的第一部分上形成具有相对于所述小板的顶表面的第一角度的侧壁;以及
在每个小板的第二部分上形成具有相对于所述小板的顶表面的第二角度的侧壁;
其中所述第一角度不同于所述第二角度。
15.如权利要求12所述的方法,包括:
将多个半导体发光器件附接至底座;
在所述切分之后,将小板附接至所述多个半导体发光器件中的每个半导体发光器件;以及
在所述多个半导体发光器件中邻近的半导体发光器件之间设置反射材料。
16.如权利要求15所述的方法,还包括在邻近的半导体发光器件之间设置所述反射材料之后,薄化所述反射材料。
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