[发明专利]三维存储器及三维存储器制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底和设置在所述衬底上的堆叠结构；

所述堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设置的多个导电层和多个绝缘层；

所述堆叠结构设置有多个沟道孔，所述沟道孔沿所述第一方向贯穿各所述导电层和各所述绝缘层，所述沟道孔内设置有沟道结构；

所述堆叠结构还设置有多个虚设孔，多个所述虚设孔位于各所述沟道孔之间，多个所述虚设孔沿所述第一方向向所述衬底延伸，且每个所述虚设孔的孔底与一个所述导电层接触；

各所述虚设孔内均设置有连接线，所述连接线的朝向所述衬底的一端与该连接线所在的所述虚设孔的孔底对应的所述导电层接合，且所述连接线与被该连接线贯穿的所述导电层之间绝缘；

同一所述导电层与多个所述虚设孔的孔底接触，各所述虚设孔相对于垂直于所述衬底的平面对称设置。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，相邻的两个所述沟道孔之间设置有一个所述虚设孔。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，各所述虚设孔呈阵列设置，各所述沟道孔呈阵列设置，相邻的两列所述沟道孔之间设有一列所述虚设孔。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，位于同一列的各所述虚设孔的深度相同。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，沿所述堆叠结构的中心至边缘的方向，各所述虚设孔的深度梯次减小。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，沿所述堆叠结构的中心至边缘的方向，各所述虚设孔的深度梯次增大。

7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述虚设孔包括环绕所述虚设孔中心线设置的周向侧壁以及位于所述虚设孔底部的孔底，所述连接线与所述虚设孔的所述周向侧壁之间设置有绝缘侧壁。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述绝缘侧壁为氧化硅侧壁、氮化硅侧壁或者氮氧化硅侧壁中的任一种。

9.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述连接线的材质与所述导电层的材质相同。

10.一种三维存储器制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上沿第一方向交替层叠的形成多个导电层和多个绝缘层，以构成堆叠结构；

在所述堆叠结构上形成多个沟道孔，并在所述沟道孔内形成沟道结构，所述沟道孔沿所述第一方向贯穿各所述导电层和各所述绝缘层；

在所述堆叠结构上形成多个虚设孔，多个所述虚设孔位于各所述沟道孔之间，多个所述虚设孔沿所述第一方向贯穿部分所述导电层和部分所述绝缘层，且每个所述虚设孔的孔底与一个所述导电层接触；

在各所述虚设孔内形成连接线，所述连接线朝向所述衬底的一端与该连接线所在的所述虚设孔的孔底对应的所述导电层接合，且所述连接线与被该连接线贯穿的所述导电层之间绝缘设置；

在所述堆叠结构上形成多个虚设孔，多个所述虚设孔位于各所述沟道孔之间，且多个所述虚设孔沿所述第一方向贯穿部分所述导电层和部分所述绝缘层，每个所述虚设孔贯穿至不同的所述导电层的步骤包括：

在所述堆叠结构背离所述衬底的一侧形成第一牺牲层；

在所述第一牺牲层上形成深度不同的多个第一中间虚设孔，所述第一中间虚设孔在所述堆叠结构上的投影位于多个所述沟道孔之间；

自各所述第一中间虚设孔的孔底向所述衬底方向刻蚀形成相同深度的孔段，所述孔段延伸至所述堆叠结构中，所述孔段中位于在所述堆叠结构中的部分形成所述虚设孔。