[发明专利]有机光电二极管、X射线探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010187834.3 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111244287A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 韦小庆;金利波 | 申请（专利权）人： | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L27/30;G01T1/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201201 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 光电二极管 射线 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机光电二极管，其特征在于：所述有机光电二极管包括自下而上依次叠置的第一导电传输层、P3HT:PCBM活性层、第二导电传输层及透明顶电极层。
2.根据权利要求1所述的有机光电二极管，其特征在于：所述第一导电传输层包括电子传输层，所述第二导电传输层包括空穴传输层；或所述第一导电传输层包括空穴传输层，所述第二导电传输层包括电子传输层。
3.根据权利要求2所述的有机光电二极管，其特征在于：所述电子传输层包括TiO2层、SnO2层及ZnO层中的一种或组合；所述空穴传输层包括NiO层、spiro-OMeTAD层、PEDOT:PSS层、WoO3层、CuSCN层及CuGaO2层中的一种或组合。
4.一种X射线探测器，其特征在于：所述X射线探测器包括权利要求1～3中任一所述有机光电二极管。
5.根据权利要求4所述的X射线探测器，其特征在于：所述X射线探测器包括有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管包括底栅有机薄膜晶体管或顶栅有机薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的X射线探测器，其特征在于：所述有机薄膜晶体管包括并五苯沟道层。
7.根据权利要求5所述的X射线探测器，其特征在于：所述有机薄膜晶体管包括SU-8栅极绝缘层及SU-8钝化保护层。
8.一种有机光电二极管的制备方法，其特征在于：采用溶液法制备如权利要求1～3中任一所述有机光电二极管。
9.一种X射线探测器的制备方法，其特征在于：采用溶液法制备如权利要求4～7中任一所述有机光电二极管。
10.根据权利要求9所述的X射线探测器，其特征在于：当所述X射线探测器包括所述有机薄膜晶体管时，采用溶液法制备所述有机薄膜晶体管。
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