[发明专利]一种薄膜电阻器结构及制备方法

权利要求书

1.一种薄膜电阻器结构，其特征在于，包括：

绝缘衬底，

电阻层，其分布在所述绝缘衬底的表面；

绝缘层，其覆盖在所述电阻层上且预留通孔；

以及金属电极层，其分布在所述绝缘层上并通过所述通孔与所述电阻层连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜电阻器结构，其特征在于，所述电阻层设置为条状结构并按照蛇形盘绕在所述绝缘衬底上。

3.根据权利要求2所述的薄膜电阻器结构，其特征在于，所述电阻层中电阻的两端相对其中间部分为宽条状结构，其该两端部的宽度为25-40um。

4.根据权利要求1或2或3所述的薄膜电阻器结构，其特征在于，所述绝缘衬底由氮化铝、氧化铝、氮化硅或石英材料制成。

5.根据权利要求1或2或3所述的薄膜电阻器结构，其特征在于，所述电阻层包括氮化钽薄膜、铬硅薄膜、多晶硅薄膜、二氧化钛薄膜或二氧化锆薄膜。

6.根据权利要求1所述的薄膜电阻器结构，其特征在于，所述绝缘层包括二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氧化铝薄膜或有机绝缘树脂薄膜。

7.根据权利要求1或2或3或6所述的薄膜电阻器结构，其特征在于，所述通孔的设置数量为至少两个，其中，所述通孔用于暴露出所述电阻层的连接部位。

8.一种如权利要求1至7任一项所述的薄膜电阻器结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

采用光刻和等离子刻蚀的工艺，在绝缘衬底上形成电阻层；

采用溅射工艺，在所述电阻层上溅射绝缘层；

利用光刻和二氧化硅湿法腐蚀工艺，在所述绝缘层上开至少两个通孔；

通过光刻和金属层剥离的工艺，在所述绝缘层及所述通孔内覆盖所述金属电极层，通过所述通孔使得所述金属电极层与所述电阻层连接。

9.根据权利要求8的制备方法，其特征在于，所述电阻层中电阻的长宽比大于等于2000，电阻值大于等于100KΩ。

10.根据权利要求8或9的制备方法，其特征在于，所述电阻层中电阻的两端相对其中间部分为宽条状结构，其该两端部的宽度为25-40um。