[发明专利]一种离子束法制备的金属过滤膜及其制备方法

权利要求书

1.一种通过离子束法制备金属过滤膜的制备方法，其特征在于，所述的方法包含：

步骤1，采用超高真空离子束溅射设备，调整溅射室的真空度，选择衬底，并在溅射前对衬底进行处理；

步骤2，将晾干后的衬底放入生长室内，控制氩气流量，并调整溅射室真空度；

步骤3，调整电子枪束流电压，控制生长温度、生长束流、沉积时间，制备金属薄膜。

2.如权利要求1所述的通过离子束法制备金属过滤膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤1中，将溅射室的真空度调至4.0×10^-4pa。

3.如权利要求2所述的通过离子束法制备金属过滤膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤1中，选用单晶硅片作为衬底，在溅射前，衬底先后经过丙酮、酒精超声清洗10分钟以除去油和蜡，然后在1：20的HF/H₂O溶液中漂洗30～60s除去自然氧化层，获得平整表面。

4.如权利要求1所述的通过离子束法制备金属过滤膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤2中，将氩气流量控制在1.0～2.0cm³/s，溅射室真空度调整为2.0×10^-2pa。

5.如权利要求1所述的通过离子束法制备金属过滤膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤3中，将电子枪束流电压调整至0.8～1.5kv，控制生长温度为280～350℃，生长束流为2ma～15ma，沉积时间为1.0～2.0h。

6.如权利要求5所述的通过离子束法制备金属过滤膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤3中，通过控制包含生长束流、沉积时间、生长温度及束流电压的工艺参数，制备不同厚度的金属薄膜。

7.一种如权利要求1～6中任意一项所述的离子束法制备的金属过滤膜，其特征在于，所述的金属过滤膜通过超高真空离子束溅射设备制备。

8.如权利要求7所述的离子束法制备的金属过滤膜，其特征在于，所述的金属过滤膜，采用的金属靶材为铜、铝、铬、镍、钛中的任意一种或多种金属。