[发明专利]一种防止铝电极迁移的LED芯片

权利要求书

1.一种防止铝电极迁移的LED芯片，其特征在于，包括发光结构、设于发光结构上的电极结构、以及防迁移结构，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括Cr层和Al层，所述Cr层设于发光结构上，所述Al层设于Cr层上，所述防迁移结构为单层结构或至少三层的单数叠层结构；

当防迁移结构为单层结构时，所述防迁移结构由第一金属制成；

当防迁移结构为叠层结构时，所述防迁移结构包括2n+1层，n为整数，单数层由第一金属制成，双数层由第二金属制成；

所述第一金属为原子排列方式为六方最密堆积的金属，所述第二金属为原子排列方式为面心立方最密堆积的金属。

2.如权利要求1所述的防止铝电极迁移的LED芯片，其特征在于，所述第二金属的金属活性小于Al的金属活性。

3.如权利要求2所述的防止铝电极迁移的LED芯片，其特征在于，所述第一金属为钛Ti、钴Co、锆Zr、铍Be或铪Hf；

所述第二金属为铂Pt、铑Rh、钯Pd、铱Ir或镍Ni。

4.如权利要求3所述的防止铝电极迁移的LED芯片，其特征在于，所述第一金属为钛Ti，所述第二金属为铂Pt。

5.如权利要求1所述的防止铝电极迁移的LED芯片，其特征在于，当防迁移结构为单层结构时，其厚度为30～300nm。

6.如权利要求5所述的防止铝电极迁移的LED芯片，其特征在于，当防迁移结构为叠层结构时，每层单数层的厚度为30～150nm，每层双数层的厚度为60～200nm。

7.如权利要求1所述的防止铝电极迁移的LED芯片，其特征在于，所述Cr层的厚度为2～50nm，所述Al层的厚度大于1.5μm。

8.如权利要求1所述的防止铝电极迁移的LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括GaAs基板、设于GaAs基板上的N-GaAs层、设于N-GaAs层上的多量子阱层、设于N-GaAs层上的多量子阱层上的P-GaP层、以及设于P-GaP层上的透明导电层。

9.如权利要求8所述的防止铝电极迁移的LED芯片，其特征在于，所述第二电极包括第一Au层、GeAu层和第二Au层，所述第一Au层设于发光结构上，所述GeAu层设于第一Au层上，所述第二Au层设于GeAu层上。

10.如权利要求9所述的防止铝电极迁移的LED芯片，其特征在于，第一Au层的厚度为100～200nm，GeAu层的厚度为50～100nm，第二Au层的厚度为800～3000nm。