[发明专利]一种黑磷单晶片的制备方法

权利要求书

1.一种黑磷单晶片的制备方法，其特征在于，包括两个步骤：催化剂制备以及磷源同催化剂反应，从而得到黑磷单晶片。

2.根据权利要求1所述的黑磷单晶片的制备方法，其特征在于，所述催化剂为SnIP三元化合物，所述催化剂制备具体如下：将反应原料按照SnIP三元化合物化学计量比称取并充分混合均匀，然后加入石英管中抽真空密封，置于马弗炉中在300℃～520℃下处理2～96h得到SnIP三元化合物。

3.根据权利要求2所述的黑磷单晶片的制备方法，其特征在于，所述SnIP三元化合物的制备原料为单质锡、单质磷两原料与碘单质、碘化亚锡或四碘化锡的组合。

4.根据权利要求1所述的黑磷单晶片的制备方法，其特征在于，所述磷源同催化剂反应包括以下具体步骤：

1)将磷源和催化剂按照一定质量比例加入到密封反应器中；

2)把反应器置于加热装置在一定温度下烧结一定时长，最终得到黑磷单晶片。

5.根据权利要求4所述的黑磷单晶片的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中所述磷源为红磷或黄磷，原料状态优选颗粒或块状。

6.根据权利要求4所述的黑磷单晶片的制备方法，其特征在于，所述磷源和催化剂的质量比例为(40～0.5):1。

7.根据权利要求4所述的黑磷单晶片的制备方法，其特征在于，所述密封反应器为陶瓷管、不锈钢管或熔封的石英管。

8.根据权利要求4所述的黑磷单晶片的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中加热装置为单温区管式炉、多温区(双温区及以上)管式炉、马弗炉、箱式炉、微波炉或单晶炉中的一种。

9.根据权利要求4所述的黑磷单晶片的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为420℃～550℃，烧结时长2～120h。

10.一种如权利要求1～9任一项所述的黑磷单晶片的制备方法得到的黑磷单晶片，其特征在于，可以应用于柔性器件、传感器、微电极、光电催化、电池和晶体场效应管。