[发明专利]基于双玻孔阵的滤光膜系和近红外光谱芯片及其制备方法

权利要求书

1.基于双玻孔阵的滤光膜系，其特征在于，包括采用二氧化硅介质的下层陪镀片、镀在下层陪镀片上的银膜以及镀在银膜上层的覆盖片，所述覆盖片采用二氧化硅介质，所述银膜刻蚀有孔阵。

2.根据权利要求1所述的基于双玻孔阵的滤光膜系，其特征在于，所述孔阵具有周期P和孔径r：

P＝0.66λ-0.025..........................1.1

r＝0.2p+0.02............................1.2

λ为预设的透射峰波长。

3.根据权利要求2所述的基于双玻孔阵的滤光膜系的近红外光谱芯片，其特征在于，包括探测器和权利要求2所述的滤光膜系，所述滤光膜系集成贴合在探测器上。

4.根据权利要求3所述的基于双玻孔阵的滤光膜系的近红外光谱芯片，其特征在于，所述滤光膜系包括A区、B区、C区.......N区，所述A区的孔阵周期为P1，孔径为R1；所述B区的孔阵周期为P2，孔径为R2；所述C区的孔阵周期为P3，孔径为R3；依次类推，所述N区的孔阵周期为Pn，孔径为Rn；滤光膜系上的每个区对应探测器上的一个像素点或者一个像素区，即A区对应第一像素点或第一像素区，B区对应第二像素点或第二像素区........N区对应第N个像素点或第N像素区所述像素区由多个像素点组成。

5.根据权利要求4所述的基于双玻孔阵的滤光膜系的近红外光谱芯片，其特征在于，所述滤光膜系中相邻区之间的距离大于等于离激元在金属中的传播距离。

6.根据权利要求3-5所述的任一基于双玻孔阵的滤光膜系的近红外光谱芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：选取与探测器尺寸匹配两块二氧化硅介质，所述二氧化硅介质在1-2μm近红外波段透射率T≥90％；一块作为下层陪镀片，另一块作为覆盖片；

S2：在下层陪镀片上使用蒸镀法沉积100nm-500nm厚的银膜；

S3：在银膜上使用聚焦离子束光刻法，刻蚀孔阵，孔阵包括周期P和孔径r，其中：

P＝0.66λ-0.025..........................1.1

r＝0.2p+0.02............................1.2

λ为预设的透射峰波长；根据滤光芯片需求将银膜进行分区，不同区采用不同的孔阵周期和孔径；

S4：将刻蚀好孔阵的银膜上采用镀膜方式镀上覆盖片，最终制得滤光膜系；

S5：将滤光膜系集成贴合在探测器上，其中滤光区域与像素点一一对应，即制成近红外光谱芯片。