[发明专利]隧道势垒层及其制造方法、磁阻效应元件和绝缘层

权利要求书

1.一种隧道势垒层，其特征在于：

包含非磁性氧化物，

晶体结构既包括规则尖晶石结构也包括不规则尖晶石结构。

2.如权利要求1所述的隧道势垒层，其特征在于：

所述不规则尖晶石结构的晶格常数为所述规则尖晶石结构的晶格常数的大致一半。

3.如权利要求1所述的隧道势垒层，其特征在于：

在使用了透射型电子显微镜的纳米束电子衍射中，

包含显示第一电子射线图案的第一部分、显示第二电子射线图案的第二部分和显示近似第一电子射线图案的第三部分中的至少两个。

4.如权利要求1所述的隧道势垒层，其特征在于：

在使用了透射型电子显微镜的纳米束电子衍射中，

仅由显示近似第一电子射线图案的第三部分构成。

5.如权利要求1所述的隧道势垒层，其特征在于：

所述规则尖晶石结构的比例为10％以上且90％以下。

6.如权利要求1所述的隧道势垒层，其特征在于：

所述规则尖晶石结构的比例为20％以上且80％以下。

7.如权利要求1所述的隧道势垒层，其特征在于：

所述非磁性氧化物包含Mg、以及选自Al和Ga中的至少一种。

8.如权利要求1所述的隧道势垒层，其特征在于：

具有包含Mg和Ga的氧化物、以及包含Mg和Al的氧化物，

所述包含Mg和Ga的氧化物为所述规则尖晶石结构，

所述包含Mg和Al的氧化物为所述不规则尖晶石结构。

9.如权利要求1的隧道势垒层，其特征在于：

晶体的取向方向为(001)取向。

10.一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：

权利要求1～9中任一项所述的隧道势垒层，和

在厚度方向上夹着所述隧道势垒层的第一铁磁性层和第二铁磁性层。

11.如权利要求10所述的磁阻效应元件，其特征在于：

所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个包含Fe元素。

12.一种隧道势垒层的制造方法，其特征在于，包含：

供给对形成规则尖晶石结构充分的氧的第一条件，和

氧的供给量少于所述第一条件的第二条件。

13.一种绝缘层，其特征在于：

包含非磁性氧化物，

晶体结构既包括规则尖晶石结构也包括不规则尖晶石结构。