[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010190456.4 申请日: 2020-03-18
公开(公告)号: CN111370453A 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 刘建欣;韩佰祥 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 刁文魁
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 显示 面板 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种显示面板及其制备方法,显示面板包括显示区,邦定区,设于所述显示区四周;基板,设于所述显示区和所述邦定区中;TFT开关结构,设于所述基板一侧,设于所述显示区中,部分延伸至所述邦定区中;平坦层,设于所述TFT开关结构远离所述基板一侧,自所述显示区延伸至所述邦定区;阳极层,设于所述显示区中,设于所述平坦层远离所述TFT开关结构一侧,与所述TFT开关结构电性连接;第一金属层,设于所述邦定区中;导电层,设于所述显示区和所述邦定区中,包括第一导电层,覆盖所述的阳极层裸露于所述平坦层外的部分;第二导电层,设于所述邦定区中,且与第一金属层连接。

技术领域

本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

在目前OLED的显示技术开发过程中,大体有两种技术路线,一种是BottomEmission(底部发光),另一种是Top Emission(顶部发光)。要实现Top Emission(顶部发光),阳极需采用ITO/Ag/ITO的结构将OLED的光进行反射。与此同时,Panel上的COF邦定区也需要覆盖ITO/Ag/ITO的膜层,以便与COF金手指导通,但是邦定区域与显示区域不同,无Cover Glass(盖板玻璃)覆盖保护,在信赖性测试中发现,邦定区处容易进入水汽发生电化学腐蚀。

如图1所示,邦定区102中的导电层40采用叠层结构,如图2所示,叠层中包含银层,而银容易被外界的水汽腐蚀,造成连接不良。

发明内容

本发明提供了一种显示面板及其制备方法,用以解决现有技术中,顶发射显示面板的导电层无法避免水氧入侵的技术问题。

本申请实施例提供一种显示面板,包括显示区;邦定区,设于所述显示区四周基板,设于所述显示区和所述邦定区中;TFT开关结构,设于所述基板一侧,设于所述显示区中,部分延伸至所述邦定区中;平坦层,设于所述TFT开关结构远离所述基板一侧,自所述显示区延伸至所述邦定区;阳极层,设于所述显示区中,设于所述平坦层远离所述TFT开关结构一侧,与所述TFT开关结构电性连接;第一金属层,设于所述邦定区中;导电层,设于所述显示区和所述邦定区中,包括第一导电层,覆盖所述的阳极层裸露于所述平坦层外的部分;第二导电层,设于所述邦定区中,且与第一金属层连接。

进一步的,所述TFT开关结构包括遮光金属层,设于所述显示区中,设于所述基板一侧;缓冲层,设于所述基板靠近所述遮光金属层一侧,覆盖所述遮光金属层,自显示区延伸至所述邦定区;有源层,设于所述显示区中,设于所述缓冲层远离所述遮光金属层一侧;栅极绝缘层,设于所述有源层远离所述缓冲层一侧;栅极层,设于所述栅极绝缘层远离所述有源层一侧;介电层,设于所述缓冲层远离所述遮光金属层一侧,覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极层,自显示区延伸至所述邦定区;源漏电极,设于所述显示区中,设于所述介电层远离所述缓冲层一侧,与所述有源层和所述遮光金属层连接;钝化层,设于所述介电层远离所述缓冲层一侧,覆盖所述源漏电极,自所述显示区延伸至所述邦定区。

进一步的,所述第一金属层设与所述邦定区中的所述介电层上;所述邦定区中的所述钝化层设有第一开孔,第一开孔与所述第一金属层相对设置;其中,所述第二导电层设于所述钝化层远离所述介电层一侧,通过所述第一开孔与所述第一金属层电性连接。

进一步的,所述阳极层为叠层结构,包括ITO/Ag/ITO。

进一步的,所述导电层的材料为ITO材料。

进一步的,显示面板还包括第一挡墙,设于所述显示区内,设于所述第一导电层远离所述阳极层一侧,且覆盖所述第一导电层;色阻层,设于所述显示区内,设于所述第一挡墙远离所述第一导电层一侧,所述色阻层贯穿所述第一挡墙与所述第一导电层连接;第二挡墙,设于所述显示区内,设于所述第一挡墙远离所述第一导电层一侧;所述色阻层远离所述第一导电层一侧裸露于所述第二挡墙;阴极层,设于所述第二挡墙远离所述第一挡墙一侧,与所述色阻层连接;以及保护层,设于所述阴极层远离所述第二挡墙一侧。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010190456.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top