[发明专利]LED外延结构、LED芯片及外延结构的制备方法在审
| 申请号： | 202010190471.9 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111540816A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 黄文洋;林雅雯;黄国栋;黄嘉宏;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 吴志益;朱阳波 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 芯片 制备 方法 | ||
1.一种衬底可剥离式LED外延结构，其特征在于，包括：
GaAs衬底；
GaAs缓冲层，所述GaAs缓冲层设置于所述GaAs衬底上；
AlAs牺牲层，所述AlAs牺牲层设置于所述GaAs缓冲层上，所述AlAs牺牲层上设置有多个凹陷部；
半导体层，所述半导体层设置于所述AlAs牺牲层上。
2.根据权利要求1所述的一种衬底可剥离式LED外延结构，其特征在于：所述凹陷部为锥形凹陷部。
3.根据权利要求2所述的一种衬底可剥离式LED外延结构，其特征在于：所述半导体层从下至上依次包括低温P型GaP层、高温P型GaP层、P型AlInP限制层、MQW多量子阱发光层、N型AlInP限制层和N型GaAs接触层；
所述低温P型GaP层的下表面设置有多个锥形凸起部，多个所述锥形凸起部分别嵌入多个所述锥形凹陷部内。
4.根据权利要求3所述的一种衬底可剥离式LED外延结构，其特征在于：所述GaAs缓冲层的厚度为100-1000nm，所述低温P型GaP层的厚度为100-1000nm。
5.根据权利要求2或3所述的一种衬底可剥离式LED外延结构，其特征在于：所述锥形凹陷部的底面直径为5-40nm，所述锥形凹陷部的高为5-40nm。
6.根据权利要求5所述的一种衬底可剥离式LED外延结构，其特征在于：所述AlAs牺牲层的厚度大于所述锥形凹陷部的高，所述AlAs牺牲层的厚度为10-50nm。
7.根据权利要求2所述的一种衬底可剥离式LED外延结构，其特征在于：所述锥形凹陷部的底面位于所述AlAs牺牲层的上表面，所述锥形凹陷部为形成于所述AlAs牺牲层上的上大下小的圆锥形凹陷。
8.根据权利要求7所述的一种衬底可剥离式LED外延结构，其特征在于：相邻两个所述锥形凹陷部的底面相切。
9.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片内设置有权利要求1-8任一项所述的衬底可剥离式LED外延结构。
10.一种衬底可剥离式LED外延结构的制备方法，所述衬底可剥离式LED外延结构为权利要求1-8任一项所述的衬底可剥离式LED外延结构，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
在GaAs衬底上生长出GaAs缓冲层；
在GaAs缓冲层上生长出AlAs牺牲层；
在AlAs牺牲层上蚀刻出多个凹陷部；
在AlAs牺牲层生长出半导体层。
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