[发明专利]基于晶圆键合形成SiO2 有效
| 申请号： | 202010190524.7 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111239900B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 胡志朋;吴月;邵斯竹;肖志雄;朱兴国;冯俊波;郭进 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B6/14 | 分类号： | G02B6/14;G02B6/13;G02B6/136;G02B6/122;G02B6/12 |
| 代理公司： | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人： | 霍维英 |
| 地址： | 400030 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 晶圆键合 形成 sio base sub | ||
1.基于晶圆键合形成SiO2波导实现模斑转换的方法，其特征在于，包括如下步骤：
准备硅衬底和SOI晶圆，在所述硅衬底上制作凹槽；
制作第一SiO2波导层以填充所述凹槽；
将所述SOI晶圆的顶层硅键合到所述硅衬底表面，并去除所述SOI晶圆的衬底硅层和埋氧层；
刻蚀所述顶层硅，在所述第一SiO2波导层上形成硅波导；
在所述硅波导和第一SiO2波导层上制作第二SiO2波导层；
刻蚀所述第一SiO2波导层和第二SiO2波导层至所述凹槽底部，形成SiO2波导；
腐蚀所述SiO2波导以下的硅衬底，形成悬臂梁结构。
2.如权利要求1所述的基于晶圆键合形成SiO2波导实现模斑转换的方法，其特征在于，所述制作第一SiO2波导层以填充所述凹槽，具体包括：在所述硅衬底上生长SiO2材料以填充所述凹槽，并进行平坦化处理，形成第一SiO2波导层。
3.如权利要求1所述的基于晶圆键合形成SiO2波导实现模斑转换的方法，其特征在于，所述硅波导为宽度渐变的倒锥形结构。
4.如权利要求1所述的基于晶圆键合形成SiO2波导实现模斑转换的方法，其特征在于，所述硅波导位于所述SiO2波导的中心位置。
5.如权利要求1-4任一项所述的基于晶圆键合形成SiO2波导实现模斑转换的方法，其特征在于，平坦化处理的方式包括化学机械研磨处理。
6.模斑转换器，其特征在于，通过权利要求1-5中任一种基于晶圆键合形成SiO2波导实现模斑转换的方法制备得到。
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