[发明专利]一种应用在320MHz~420MHz的双向功率放大器在审
申请号: | 202010191419.5 | 申请日: | 2020-03-18 |
公开(公告)号: | CN111446931A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 相征;张涛;任鹏 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 李园园 |
地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用 320 mhz 420 双向 功率放大器 | ||
1.一种应用在320MHz~420MHz的双向功率放大器,其特征在于,包括第一射频开关、第二射频开关、低噪声放大器模块、功率放大器模块和收发控制模块,其中,所述第一射频开关分别连接所述低噪声放大器模块的输入端、所述功率放大器模块的输出端和所述收发控制模块,所述第二射频开关分别连接所述低噪声放大器模块的输出端、所述功率放大器模块的输入端和所述收发控制模块,其中,
低噪声放大器模块,用于将从天线接收的信号进行放大得到最终放大后的信号;
功率放大器模块,用于将信号处理端的射频信号进行功率放大得到最终放大后的射频信号;
收发控制模块,用于根据耦合功率导通所述低噪声放大器模块对应的接收链路以使所述最终放大后的信号被接收或者导通所述功率放大器模块对应的发射链路以使所述最终放大后的射频信号被发射。
2.根据权利要求1所述的双向功率放大器,其特征在于,所述低噪声放大器模块包括输入匹配电路、低噪声放大器芯片、输出匹配电路、电容C6和电阻R1,所述输入匹配电路的输入端连接所述第一射频开关,所述输入匹配电路的输出端连接所述低噪声放大器芯片的输入端和所述电容C6的第一端,所述电容C6的第二端连接所述电阻R1的第一端,所述低噪声放大器芯片的输出端和所述电阻R1的第二端连接所述输出匹配电路的输入端,所述输出匹配电路的输出端连接所述第二射频开关,其中,
所述输入匹配电路,用于对从所述天线接收的信号的阻抗与所述低噪声放大器芯片的阻抗进行匹配得到第一次匹配后的信号;
所述低噪声放大器芯片,用于对所述第一次匹配后的信号进行放大得到放大后的信号;
所述输出匹配电路,用于对所述放大后的信号与所述通信系统的阻抗进行匹配得到最终放大后的射频信号。
3.根据权利要求2所述的双向功率放大器,其特征在于,所述输入匹配电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电感L1和电感L2,其中,
所述电容C1的第一端和所述电感L1的第一端连接所述第一射频开关,所述电容C1的第二端连接接地端,所述电感L1的第二端连接所述电容C2的第一端和所述电感L2的第一端,所述电容C2的第二端连接接地端,所述电感L2的第二端连接所述电容C3的第一端,所述电容C3的第二端连接所述低噪声放大器芯片的输入端和所述电容C6的第一端。
4.根据权利要求3所述的双向功率放大器,其特征在于,所述输出匹配电路包括电容C4、电容C5和电感L3,其中,
所述电容C6的第二端连接所述电阻R1的第一端,所述电阻R1的第二端连接所述低噪声放大器芯片的输出端和所述电容C4的第一端,所述电容C4的第二端连接所述电感L3的第一端,所述电感L3的第二端连接所述电容C5的第一端和所述第二射频开关,所述电容C5的第二端连接接地端。
5.根据权利要求1所述的双向功率放大器,其特征在于,所述功率放大器模块包括推动级放大器电路和后级放大器电路,其中,所述推动级放大器电路的输入端连接所述第二射频开关,所述推动级放大器电路的输出端连接所述后级放大器电路的输入端,所述后级放大器电路的输出端连接所述第一射频开关,其中,
所述推动级放大器电路,用于对所述射频信号进行第一次功率放大,得到第一次功率放大后的射频信号;
所述后级放大器电路,用于对所述第一次功率放大后的射频信号行第二次功率放大,得到最终放大后的射频信号。
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