[发明专利]晶片处理装置

说明书

本发明实施例涉及一种晶片处理装置。该晶片处理装置包含：晶片基座，其经配置以支撑晶片；辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；及透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间。所述透明窗具有拥有第一粗糙表面的第一区带，且所述第一粗糙表面的Ra值是在约0.5μm与约100μm之间。所述晶片处理装置进一步包含：主要反射器，其安置于所述辐射源中；及次要反射器，其安置于所述透明窗与所述辐射源之间。所述粗糙表面可设置于所述透明窗、所述主要反射器及/或所述次要反射器上方。

技术领域

本发明实施例涉及晶片处理装置。

背景技术

随着半导体行业引入具有较高性能及较大功能性的新生代集成电路(IC)，形成IC的元件或组件的密度增加，而个别组件或元件之间的尺寸、大小及间隔减小。由于此些减小受限于通过光刻术定义结构的能力，所以具有较小尺寸的装置几何形状产生新限制因素。例如，针对两个相邻导电路径，随着导体之间的距离减小，所得电容(绝缘材料的介电常量(k)除以导电路径之间的距离的函数)增加。此增加电容增加导体之间的电容耦合、功率消耗及电阻电容(RC)延迟。

在半导体装置的工艺中，必须在半导体晶片上执行数个处理步骤(即，多达数百个)以形成组件或装置。在此工艺的实行期间，可选择某些工艺来解决特定问题。例如，使用例如UV固化的晶片处理方法来降低介电材料的k值。

发明内容

根据本发明的一些实施例，一种晶片处理装置包括：晶片基座，其经配置以支撑晶片；辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；及透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间，其中所述透明窗具有拥有第一粗糙表面的第一区带，且所述第一粗糙表面的算术平均粗糙度(Ra)值是在约0.5微米与约100μm之间。

根据本发明的一些实施例，一种晶片处理装置包括：晶片基座，其经配置以支撑晶片；辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间；及主要反射器，其安置于所述辐射源中且经配置以将所述辐射反射朝向所述透明窗，其中所述主要反射器具有拥有第一粗糙表面的第一反射区带，且所述第一粗糙表面的Ra值是在约0.5μm与约100μm之间。

根据本发明的一些实施例，一种晶片处理装置包括：晶片基座，其经配置以支撑晶片；辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间；主要反射器，其安置于所述辐射源中且经配置以将所述辐射反射朝向所述透明窗；及次要反射器，其安置于所述透明窗与所述辐射源之间，其中所述次要反射器具有拥有第一粗糙表面的第一反射区带，且所述第一粗糙表面的Ra值是在约0.5μm与约100μm之间。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式更好理解本揭示的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种构件不按比例绘制。事实上，为清晰论述，各种构件的尺寸可任意增大或减小。

图1是绘示在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的示意图。

图2是绘示在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的UV透明窗的示意俯视图。

图3A是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的透明窗的剖面图。

图3B是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的透明窗的剖面图。

图4是绘示在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的透明窗的示意俯视图。

图5是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的主要反射器的侧视图。

图6是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的主要反射器的透视图。

图7是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的主要反射器的仰视图。