[发明专利]分离栅器件结构在审
| 申请号： | 202010192099.5 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113497120A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘聪慧;季明华;张汝京;徐怀花;杨龙康 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分离 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种分离栅器件结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底中的控制栅结构；
位于所述控制栅结构下方的分离栅结构；
所述分离栅结构包括核心区和包裹所述核心区的隔离结构；所述核心区包括空气间隙层或核心区介质层。
2.根据权利要求1所述的分离栅器件结构，其特征在于，所述隔离结构包括隔离结构介质层。
3.根据权利要求2所述的分离栅器件结构，其特征在于，所述核心区包括空气间隙层。
4.根据权利要求2所述的分离栅器件结构，其特征在于，所述隔离结构还包括位于所述隔离结构介质层内侧侧壁上的侧墙层。
5.根据权利要求4所述的分离栅器件结构，其特征在于，所述核心区包括空气间隙层。
6.根据权利要求4所述的分离栅器件结构，其特征在于，所述核心区包括核心区介质层。
7.根据权利要求4所述的分离栅器件结构，其特征在于，所述核心区包括核心区介质层和包裹于所述核心区介质层中的空气间隙层。
8.根据权利要求4所述的分离栅器件结构，其特征在于，所述侧墙层为浮置结构。
9.根据权利要求4所述的分离栅器件结构，其特征在于，所述侧墙层连接器件源极或发射极。
10.根据权利要求1所述的分离栅器件结构，其特征在于，所述控制栅结构包括栅极材料层和包裹所述栅极材料层的栅极氧化层。
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