[发明专利]分离栅沟槽结构功率器件的形成方法

权利要求书

1.一种分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上形成第一沟槽，所述第一沟槽分为位于下部的第一区域和位于上部的第二区域；

在所述第一区域形成分离栅结构，所述分离栅结构包括形成于所述第一沟槽在所述第一区域的侧壁及底部的隔离结构和包裹于所述隔离结构中的核心区；所述核心区包括空气间隙层或介质层；

在所述第二区域形成控制栅结构。

2.根据权利要求1所述的分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，其特征在于，所述隔离结构包括形成于所述第一沟槽在所述第一区域的侧壁及底部的隔离结构介质层；形成所述隔离结构介质层的材料包括二氧化硅。

3.根据权利要求2所述的分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，其特征在于，所述核心区包括空气间隙层。

4.根据权利要求3所述的分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构介质层的方法包括非共形二氧化硅化学气相沉积。

5.根据权利要求2所述的分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，其特征在于，所述隔离结构还包括形成于所述隔离结构介质层内侧侧壁上的侧墙层；形成所述侧墙层的材料包括多晶硅。

6.根据权利要求5所述的分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙层的方法包括在所述隔离结构介质层内侧沉积侧墙材料层，对所述侧墙材料层进行各向异性的干法刻蚀以形成所述侧墙层。

7.根据权利要求5所述的分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，其特征在于，所述核心区包括空气间隙层。

8.根据权利要求5所述的分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，其特征在于，所述核心区包括核心区介质层；形成所述核心区介质层的材料包括二氧化硅。

9.根据权利要求5所述的分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，其特征在于，所述核心区包括核心区介质层和包裹于所述核心区介质层中的空气间隙层；形成所述核心区介质层的材料包括二氧化硅。

10.根据权利要求1所述的分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，其特征在于，所述控制栅结构包括栅极材料层和包裹所述栅极材料层的栅极氧化层。

11.根据权利要求1所述的分离栅沟槽结构功率器件的形成方法，其特征在于，在形成所述控制栅结构后，还包括如下步骤：

在所述衬底中形成源区和阱区；

在所述衬底上形成层间介质层；

在所述层间介质层中形成连接所述源区和所述控制栅结构的接触结构；

在所述层间介质层上形成至少一层金属互连层；

在所述金属互连层上形成钝化保护层。