[发明专利]一种高压直流固态继电器电路在审
申请号: | 202010192196.4 | 申请日: | 2020-03-18 |
公开(公告)号: | CN111371444A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 殷晨钟 | 申请(专利权)人: | 江苏固特电气控制技术有限公司 |
主分类号: | H03K17/78 | 分类号: | H03K17/78 |
代理公司: | 苏州言思嘉信专利代理事务所(普通合伙) 32385 | 代理人: | 刘巍 |
地址: | 214000 江苏省无锡市蠡园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 直流 固态 继电器 电路 | ||
1.一种高压直流固态继电器电路,包括输入端、驱动电源、主要功率开关部件和输出端,其特征在于,所述输入端与所述驱动电源之间连接有二极管D1和输入恒流电路装置,所述二极管D1用于防止输入端的输入控制信号电压在输入时接反向,所述输入恒流电路装置用于给光电耦合器的二极管提供恒定的驱动电流,使光电耦合器内的二极管能够输出足够的光功率保证控制信号的有效传递。
2.根据权利要求1所述的一种高压直流固态继电器电路,其特征在于,所述驱动电源由多组驱动电源电路并联组成,并联的所述驱动电源电路对成布局,所述驱动电源用于给驱动功率管提供所需要的电压。
3.根据权利要求2所述的一种高压直流固态继电器电路,其特征在于,并联的多组所述驱动电源电路中,各支路分别使用单独的驱动栅极电阻,此方式可以避免驱动输出阻抗特性对于MOSFET、IGBT并联均流产生的影响,以此避免寄生振荡,各支路中的所述栅极电阻的阻值一致。
4.根据权利要求1所述的一种高压直流固态继电器电路,其特征在于,通过光耦隔离串并联实现串联高压与并联大电流,所述功率开关部件采用4只或8只增强型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、IGBT串并联构成。
5.根据权利要求4所述的一种高压直流固态继电器电路,其特征在于,所述增强型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、IGBT在并联时选择同一型号同一批次的MOSFET、IGBT,以保证管子的参数和特性一致,保证并联均流,此方式可以避免MOSFET、IGBT模块内部参数及输出、转移特性不一致时导致静态动态不均流。
6.根据权利要求1所述的一种高压直流固态继电器电路,其特征在于,所述主要功率开关部件与所述输出端之间连接有续流二极管,用来保证电路中电流的单向流动。
7.根据权利要求1所述的一种高压直流固态继电器电路,其特征在于,在所述高压直流固态继电器电路中,采用器件降容,通过器件的降容率,得到并联模块输出的总电流,进而选择合适的MOSFET、IGBT模块,即使在模块参数不一致的情况下,仍可以满足输出电流容量的要求。
8.根据权利要求1所述的一种高压直流固态继电器电路,其特征在于,在所述高压直流固态继电器电路中,对称布局并联回路中所有的功率回路和驱动回路保持最小回路漏感及严格的对称布局,各模块相邻,并优化均衡散热,以提高并联MOSFET、IGBT的均流效果。
9.根据权利要求1所述的一种高压直流固态继电器电路,其特征在于,在所述高压直流固态继电器电路中,采用串联均流电感,交流输出端串联的电感可以抑制MOSFET、IGBT和二极管在开关过程中的电流变化率,大大减小由于开关过程的差异造成的电流不均衡,通过均流电感的合理设计,确保并联MOSFET、IGBT的动态均流效果满足设计要求。
10.根据权利要求1所述的一种高压直流固态继电器电路,其特征在于,在所述高压直流固态继电器电路中,采用同一个恒流电路装置,光耦并联驱动MOSFET、IGBT串并联配对。
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