[发明专利]悬空石墨烯场效应管声学传感器

权利要求书

1.一种悬空石墨烯场效应管声学传感器，其特征在于，包括：

基底(100)；

栅结构(110)，设置于所述基底(100)，所述栅结构(110)的表面设置有凹槽(120)；

源极层(130)和漏极层(140)，设置于所述基底(100)，并分别位于所述栅结构(110)的两侧；

石墨烯膜层(150)，覆盖于所述凹槽(120)的表面，所述石墨烯膜层(150)和所述凹槽(120)包围形成第一空腔(160)，所述石墨烯膜层(150)的两端分别与源极层(130)和漏极层(140)连接；

保护层(190)，设置于所述基底(100)靠近所述石墨烯膜层(150)的表面，所述保护层(190)和所述基底(100)包围形成第二空腔(210)，所述源极层(130)和所述漏极层(140)位于所述第二空腔(210)内，所述第一空腔(160)和所述第二空腔(210)均为真空状态。

2.如权利要求1所述的悬空石墨烯场效应管声学传感器，其特征在于，还包括

栅极直流电源(170)，与所述栅结构(110)电连接；以及

漏极直流电源(180)，与所述漏极层(140)电连接。

3.如权利要求1所述的悬空石墨烯场效应管声学传感器，其特征在于，还包括；

第一电极层(220)，设置于所述基底(100)靠近所述石墨烯膜层(150)的表面，并位于所述保护层(190)背离所述漏极层(140)的一侧，所述第一电极层(220)和所述漏极层(140)电连接；

第二电极层(230)，设置于所述基底(100)靠近所述石墨烯膜层(150)的表面，并位于所述保护层(190)背离所述源极层(130)的一侧，所述第二电极层(230)和所述源极层(130)电连接。

4.如权利要求3所述的悬空石墨烯场效应管声学传感器，其特征在于，还包括导电层(240)，设置于所述基底(100)靠近所述漏极层(140)的一侧，并与所述栅结构(110)间隔设置，所述导电层(240)分别与所述漏极层(140)和所述第一电极层(220)连接。

5.如权利要求2所述的悬空石墨烯场效应管声学传感器，其特征在于，还包括第一低通滤波器(250)，所述第一低通滤波器(250)分别与所述栅极直流电源(170)的负极和所述漏极直流电源(180)的负极连接。

6.如权利要求5所述的悬空石墨烯场效应管声学传感器，其特征在于，还包括第一高通滤波器(260)，所述第一高通滤波器(260)分别与所述源极层(130)和所述栅结构(110)连接；

第二低通滤波器(270)，连接于所述漏极层(140)和接地极(360)之间。

7.如权利要求6所述的悬空石墨烯场效应管声学传感器，其特征在于，还包括第三低通滤波器(280)，连接于所述第一高通滤波器(260)和所述栅极直流电源(170)的正极之间。

8.如权利要求7所述的悬空石墨烯场效应管声学传感器，其特征在于，还包括带通滤波器(290)、增益调整器(310)和相位调整器(320)，依次连接于所述第一高通滤波器(260)和所述栅结构(110)之间。

9.如权利要求8所述的悬空石墨烯场效应管声学传感器，其特征在于，还包括第二高通滤波器(330)，连接于所述相位调整器(320)和所述栅结构(110)之间。

10.如权利要求1所述的悬空石墨烯场效应管声学传感器，其特征在于，所述石墨烯膜层(150)为单层石墨烯、双层石墨烯和多层石墨烯中的一种。