[发明专利]一种晶体定向方法及装置

说明书

本发明公开了一种晶体定向方法及装置，属于晶体定向技术领域，能够解决现有的晶体定向方法效率较低、精确度较低的问题。所述方法包括：从待测晶体上切割被测晶体；获取被测晶体的切割面的晶面指数；获取待测晶体上切割面与待测面之间的夹角；根据夹角和被测晶体的切割面的晶面指数，获取待测晶体上待测面的晶面指数。本发明用于晶体定向。

技术领域

本发明涉及一种晶体定向方法及装置，属于晶体定向技术领域。

背景技术

随着科技的不断发展，压电晶体，光学晶体，激光晶体，半导体晶体等晶体材料因具有丰富的物理性能而得到越来越广泛的应用。晶体的各向异性是其本征特性，即晶体在不同方向上具有不同的光学、电学、力学等物理性能。由于晶体的各向异性，故在应用天然或者人工晶体材料之前，都需要采用技术手段对该晶体材料进行晶体定向(晶体定向包括获取晶轴方向、晶面指数等数据)，再对该晶体材料沿特定方向进行切割、抛光、镀膜等后续加工，最后制作成符合应用要求的晶体器件。例如：要制作性能优异的Si压力传感器，必须利用Si单晶在(001)面上的110方向压阻效应最大的特性，故实际应用中，先通过晶体定向出Si单晶的(001)面，再切割出(001)面，并在此面上标出110方向，最后沿该方向制作压力传感器。

由此可见，晶体原料被加工成有用器件前必须要进行晶体定向。晶体定向方法较多，常用的有光像法、锥光图法，定向仪法等。光像法和锥光图法直接采用光学显微镜观察晶面形貌，根据形貌判断晶面取向来进行晶体定向，随机性和误差较大，故精确度较低。定向仪法先预估所需的某晶面指数的晶面大致方向，切割出晶面，在上一切割的晶面基础上进一步预估所需晶面大致方向，切割出晶面，通过不断地预估大体方向，利用逐步切割来晶体定向，采用这种方法由于需要不断切割出晶面，因此会造成晶体原料的较大损耗。因而现有的晶体定向方法效率较低、精确度较低。

发明内容

本发明提供了一种晶体定向方法及装置，能够解决现有的晶体定向方法效率较低、精确度较低的问题。

本发明提供了一种晶体定向方法，所述方法包括：从待测晶体上切割被测晶体；获取所述被测晶体的切割面的晶面指数；获取所述待测晶体上切割面与待测面之间的夹角；根据所述夹角和所述被测晶体的切割面的晶面指数，获取所述待测晶体上待测面的晶面指数。

可选的，所述获取所述被测晶体的切割面的晶面指数具体包括：获取所述被测晶体的衍射数据；根据所述被测晶体的衍射数据，获取所述被测晶体的晶轴方向；根据所述被测晶体的晶轴方向和所述被测晶体的几何形状，获取所述被测晶体的切割面的晶面指数。

可选的，所述根据所述夹角和所述被测晶体的切割面的晶面指数，获取所述待测晶体上待测面的晶面指数具体为：当所述待测晶体为立方晶系时，根据第一公式获取所述待测晶体上待测面的晶面指数；

所述第一公式为：

其中，θ为所述待测晶体上切割面与待测面之间的夹角；h₁、k₁、l₁为所述被测晶体的切割面的晶面指数(h₁k₁l₁)中的具体值；h₂、k₂、l₂为所述待测晶体上待测面的晶面指数(h₂k₂l₂)中的具体值。

可选的，所述获取所述被测晶体的衍射数据具体为：利用单晶衍射仪获取所述被测晶体的衍射数据。

可选的，所述获取所述待测晶体上切割面与待测面之间的夹角具体为：利用测角器获取所述待测晶体上切割面与待测面之间的夹角。

可选的，所述被测晶体的长度、宽度、高度均≤1mm。