[发明专利]高耐受浪涌电流SnO2

权利要求书

1.一种高耐受浪涌电流SnO₂压敏电阻陶瓷的方法，包括原料配制步骤、分散步骤、烘干步骤、成型步骤、排胶步骤、烧结步骤，上述步骤依次进行，其特征在于，所述原料配制步骤中加入钛离子、钨离子，所述太离子以Ta₂O₅形式添加，所述钨离子以WO₃形式添加。

2.根据权利要求1中所述的高耐受浪涌电流SnO₂压敏电阻陶瓷的方法，其特征在于，所述原料配制步骤中，各成分的摩尔质量份数为:SnO₂：97.82～99.05、Co₃O₄：0.3～0.55、Nb₂O₅：0.2～0.3、Ta₂O₅：0.1～0.2、Cr₂O₃：0.2～0.25、In₂O₃：0.02～0.08、WO₃：0.03～0.05%、TiO₂：0 .1～0.75。

3.根据权利要求1中所述的高耐受浪涌电流SnO₂压敏电阻陶瓷的方法，其特征在于，原料配制步骤中，向原料中加入加入PVA及去离子水，搅拌均匀，获得第一浆料。

4.根据权利要求3中所述的高耐受浪涌电流SnO₂压敏电阻陶瓷的方法，其特征在于，所述分散步骤中，向所述浆料中加入15-22mol％的分散剂并搅拌，使加入的分散剂均匀分布在混合液中，获得第二浆料。

5.根据权利要求4中所述的高耐受浪涌电流SnO₂压敏电阻陶瓷的方法，其特征在于，所述烘干步骤中，将所述第二浆料放入行星球磨机进行高频研磨混合10h，使第二混合液中的粉料颗粒达到小于1μm，随后进行在60℃温度下恒温烘干10h，制得粉料。

6.根据权利要求5中所述的高耐受浪涌电流SnO₂压敏电阻陶瓷的方法，其特征在于，所述成型步骤中，将所述粉料进行粉碎后，经300-450目的筛子过筛；在20-35MPa压力下将过筛后的粉料压成直径5cm圆型胚体。

7.根据权利要求6中所述的高耐受浪涌电流SnO₂压敏电阻陶瓷的方法，其特征在于，所述排胶步骤中，将胚体在100-500℃下排胶，在排胶温度下保温6h，随后冷却至室温，其中，升降温速率分别为30℃/h-120℃/h和30℃/h-180℃/h。

8.根据权利要求7中所述的高耐受浪涌电流SnO₂压敏电阻陶瓷的方法，其特征在于，所述烧结步骤中，将排胶后的胚体在1300-1450℃下烧结，在烧结温度下保温2-4h，随后冷却至室温，其中，升降温速率分别为30℃/h-120℃/h和300℃/h-480℃/h。