[发明专利]一种钛硅钼合金靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种钛硅钼合金靶材，其特征在于，包括如下组分按质量百分比组成：钛20～80at％，硅2～20a％，钼10～40at％。

2.一种钛硅钼合金靶材的制备方法，其特征在于，包括：

将硅粉和钼粉在真空或高纯氩气保护下混合；

将混合后的钼-硅粉末烧结，获得钼硅合金块；

将所述钼硅合金块破碎成钼硅合金粉；

将钛粉与所述钼硅合金粉在真空或高纯氩气保护下混合；

将混合均匀的所述钛粉与所述钼硅合金粉进行冷等静压压制，获得钛硅钼合金坯料；

将所述钛硅钼合金坯料装入包套中，进行脱气处理；

将经脱气处理的包套封焊后，通过热等静压烧结获得合金锭坯；

将压制后的所述合金锭坯依次进行机加工和清洗，获得钛硅钼合金靶材；

其中，所述钛硅钼合金靶材包括如下组分按质量百分比组成：钛20～80at％，硅2～20a％，钼10～40at％。

3.根据权利要求2所述的一种钛硅钼合金靶材的制备方法，其特征在于，所述钼粉的纯度为99.5％以上、平均粒径为5～8um；所述硅粉的纯度为99.5％以上、平均粒径为5～10um；所述钛粉的纯度为99.5％以上、平均粒径为45～75um。

4.根据权利要求2所述的一种钛硅钼合金靶材的制备方法，其特征在于，在将所述硅粉和所述钼粉在真空或高纯氩气保护下混合时，包括:将所述硅粉和所述钼粉放入高能球磨中，在真空或高纯氩气保护下混合8～20h。

5.根据权利要求2所述的一种钛硅钼合金靶材的制备方法，其特征在于，在将混合后的硅-钼粉末进行烧结时，包括：将所述硅-钼粉末装入真空烧结炉中，升温到1200～1600℃，升温速度为50～100℃/h，保温3～5h，最后随炉降温至室温。

6.根据权利要求2所述的一种钛硅钼合金靶材的制备方法，其特征在于，所述钼硅合金粉的平均粒径为106～150um。

7.根据权利要求2所述的一种钛硅钼合金靶材的制备方法，其特征在于，在将所述钛粉与所述钼硅合金粉混合时，包括:将所述钛粉与所述钼硅合金粉放入V型混料机或三维混料机中，在真空或高纯氩气保护下混合4～6h。

8.根据权利要求2所述的一种钛硅钼合金靶材的制备方法，其特征在于，在将混合均匀的所述钛粉与所述钼硅合金粉进行冷等静压压制时，包括：将混合好的所述钛粉与所述钼硅合金粉装入冷等静压模具中，在20～100MPa压力下，进行冷等静压压制，保压时间为10～30min。

9.根据权利要求2所述的一种钛硅钼合金靶材的制备方法，其特征在于，在将所述钛硅钼合金坯料装入包套中进行脱气处理时，包括：将压制成型的所述钛硅钼合金坯料装入纯钛包套中后，置于脱气炉中进行脱气处理，脱气温度为300～500℃，脱气时间为4h～10h。

10.根据权利要求2所述的一种钛硅钼合金靶材的制备方法，其特征在于，在对经封焊后的包套通过热等静压烧结时，包括：将封焊后的所述包套放入热等静压设备中进行烧结压制，保温温度为1200～1400℃，保温时间2～5h，压力120～150MPa。