[发明专利]一种Cr3+在审

专利信息
申请号: 202010194099.9 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN111378445A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: 刘泉林;毛宁;宋振;余懿 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C09K11/78 分类号: C09K11/78;H01L33/50
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 cr base sup
【权利要求书】:

1.一种Cr3+掺杂的近红外宽谱发光材料,其特征在于化学通式为Ca3Y2-xGe3O12:xCr3+,其中:0.01mol%≤x≤20mol%。

2.如权利要求1所述Cr3+掺杂的近红外宽谱发光材料,其特征在于所述的近红外宽谱发光材料为立方结构,具有与Ca3Y2Ge3O12相同的石榴石类型空间晶体结构,空间群为Ia3d;Ca2+占据其中十二面体八配位,Y3+占据八面体六配位,Ge4+占据四面体四配位;Cr3+作为发光中心,替代Y3+占据八面体格位。

3.如权利要求1所述的Cr3+掺杂的近红外宽谱发光材料,其特征在于可以被紫外及可见光激发,产生效果强烈的近红外发射,激发波长在400-550nm范围内,发射波长范围为700-1200nm。

4.一种如权利要求1或2或3所述的Cr3+掺杂的近红外宽谱发光材料的制备方法,包括以下步骤:

1)称量物料:按照无机化合物通式Ca3Y2-xGe3O12:xCr3+的化学计量比,依次称量高纯度CaCO3,Y2O3,GeO2以及Cr2O3,称取适量助熔剂;

2)将步骤1)称量所得到的粉体置于研钵中,加入少量酒精进行研磨,研磨时间为20-40分钟,等其干燥后置于高温氧化铝坩埚中;

3)将高温氧化铝坩埚置于箱式炉并设定程序,升温至1000℃~1500℃,在高温条件下保温煅烧1-10小时,之后随炉体冷却至室温;

4)将冷却得到的块状粉体再次研磨,得到具有与Ca3Y2Ge3O12相同空间结构的近红外发光材料;

5)进行后处理工艺,分级去除杂质。

5.如权利要求4所述的Cr3+掺杂的近红外宽谱发光材料的制备方法,其特征在于:所述步骤1)中,助熔剂为碱金属卤化物、碱土金属卤化物,H3BO3中的其中至少一种;相对于原料的总重量,助熔剂的用量为0.1-20wt%。

6.如权利要求4所述的Cr3+掺杂的近红外宽谱发光材料的制备方法,其特征在于:所述步骤1)中Ca2+的原料以氧化物形式存在。

7.如权利要求4所述的Cr3+掺杂的近红外宽谱发光材料的制备方法,其特征在于:所述步骤3)中,高温烧结次数为一次或多次,采用CaCO3为Ca2+原料时要进行预烧,预烧的温度900℃-1000℃,保温时间为1-10h。

8.如权利要求4所述的Cr3+掺杂的近红外宽谱发光材料的制备方法,其特征在于:所述步骤5)中,除杂过程包括酸洗、碱洗或水洗;后处理过程包括破碎、气流粉碎、除杂、烘干、分级;分级过程采用沉阵法、筛分法、水力分级和气流分级中至少一种。

9.按照权利要求4所述的Cr3+掺杂的近红外宽谱发光材料的制备方法,其特征在于:制备的Cr3+掺杂的近红外发光材料配合紫光、蓝光和绿光LED芯片,可制成新型发光器件;同时可以使用所述的近红外宽谱发光材料配合有机材料、陶瓷或玻璃,制成新型发射波长范围为700-1200nm发光材料。

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