[发明专利]半导体封装件基板以及使用其制造半导体封装件的方法

权利要求书

1.一种半导体封装件基板，包括：

半导体芯片，包括连接垫；

包封剂，包封所述半导体芯片的至少一部分；

连接构件，设置在所述半导体芯片和所述包封剂上，所述连接构件包括电连接到所述连接垫的重新分布层；

第一钝化层，设置在所述连接构件上；以及

粘合层，在位于所述半导体芯片的外部的区域中设置在所述包封剂的顶表面和所述第一钝化层的底表面中的至少一者上。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件基板，其中，所述半导体封装件基板包括第一区域和第二区域，

其中，所述半导体芯片设置在所述第一区域中，并且所述第二区域为虚设区域，并且

其中，所述粘合层设置在所述第二区域中。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件基板，其中，所述第二区域具有围绕所述第一区域的至少一个方形环的形状，并且

其中，所述粘合层具有矩形环形状。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件基板，其中，所述粘合层为不流动树脂层。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件基板，所述半导体封装件基板还包括：

第二钝化层，覆盖设置在所述包封剂的所述顶表面上的所述粘合层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件基板，所述半导体封装件基板还包括：

背侧重新分布层，设置在所述半导体芯片的与所述半导体芯片的其上设置有所述连接构件的第一表面相对的第二表面上，所述背侧重新分布层电连接到所述连接垫，

其中，所述粘合层在所述包封剂的所述顶表面上与所述背侧重新分布层平行设置。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件基板，所述半导体封装件基板还包括：

凸块下金属层，设置在所述连接构件上，

其中，所述粘合层在所述第一钝化层的所述底表面上与所述凸块下金属层平行设置。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件基板，所述半导体封装件基板还包括：

框架，包括贯穿部，

其中，所述半导体芯片设置在所述贯穿部中，并且所述包封剂填充所述贯穿部的至少一部分。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件基板，其中，所述框架包括：

第一绝缘层，设置为与所述连接构件的第一表面接触；

第一布线层，设置为与所述连接构件的所述第一表面接触并且嵌在所述第一绝缘层中；

第二布线层，设置在所述第一绝缘层的与嵌有所述第一布线层的一侧相对的一侧上；

第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层的与嵌有所述第一布线层的一侧相对的一侧上，所述第二绝缘层覆盖所述第二布线层的至少一部分；以及

第三布线层，设置在所述第二绝缘层的与嵌有所述第二布线层的一侧相对的一侧上，并且

其中，所述第一绝缘层的设置为与所述连接构件的所述第一表面接触的表面相对于所述第一布线层的设置为与所述连接构件的所述第一表面接触的表面具有台阶结构。

10.根据权利要求8所述的半导体封装件基板，所述框架包括：

第一绝缘层；

第一布线层和第二布线层，分别设置在所述第一绝缘层的相对的表面上；

第二绝缘层和第三绝缘层，分别设置在所述第一绝缘层的相对的表面上，并且所述第二绝缘层覆盖所述第一布线层的至少一部分，所述第三绝缘层覆盖所述第二布线层的至少一部分；

第三布线层，设置在所述第二绝缘层的与嵌有所述第一布线层的一侧相对的一侧上；以及

第四布线层，设置在所述第三绝缘层的与嵌有所述第二布线层的一侧相对的一侧上；并且

其中，所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的每个的厚度。

11.根据权利要求2所述的半导体封装件基板，其中，

所述粘合层设置在所述包封剂的所述顶表面和所述第一钝化层的所述底表面上。