[发明专利]半导体结构的干燥方法在审
| 申请号： | 202010194354.X | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111370295A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 邹斌 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄隶凡 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 干燥 方法 | ||
1.一种半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述半导体结构包括腔体、振膜和背板，所述振膜设置于所述腔体内，所述振膜与所述背板分离，所述方法包括：
使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水，置换后所述腔体内具有包括有机溶剂液体与残留去离子水的互溶溶液；
利用有机溶剂蒸汽对所述腔体进行干燥，以去除所述腔体内的所述互溶溶液。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水之前还包括：
利用所述去离子水对所述半导体结构进行清洗，以去除所述半导体结构上残留的化学液。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述有机溶剂的表面张力小于所述去离子水的表面张力。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述有机溶剂包括异丙醇。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，使用可溶于水的有机溶剂液体置换出所述腔体内的去离子水包括：将所述半导体结构浸泡于所述有机溶剂液体中以置换出所述腔体内的所述去离子水。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述半导体结构的浸泡时间为1800s～3000s。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述有机溶剂蒸汽的温度为80℃～120℃。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，利用有机溶剂蒸汽对所述腔体进行干燥之后所述腔体内还具有残留的所述有机溶剂液体，利用有机溶剂蒸汽对所述腔体进行干燥之后还包括：
利用干燥气体对所述腔体进行干燥，以去除所述腔体内残留的所述有机溶剂液体。
9.根据权利要求8所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述背板中设置有空隙，所述有机溶剂液体、所述有机溶剂蒸汽和所述干燥气体通过所述空隙进入所述腔体。
10.根据权利要求9所述的半导体结构的干燥方法，其特征在于，所述干燥气体包括氮气；
所述干燥气体的温度为130℃～180℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
