[发明专利]纳米晶及纳米晶的制备方法

权利要求书

1.一种纳米晶，其特征在于，包括第一纳米结构和多个第二纳米结构，所述第一纳米结构为InZnP/ZnSe，所述第二纳米结构为ZnS，所述第二纳米结构围绕所述第一纳米结构，且所述第二纳米结构的至少一部分不和所述第一纳米结构连接，且所述第二纳米结构的至少一部分和所述第一纳米结构连接，多个所述第二结构覆盖至少一部分所述第一纳米结构的表面。

2.根据权利要求1所述的纳米晶，其特征在于，所述多个第二纳米结构中，至少两个第二纳米结构相互连接，优选地，所述纳米晶的荧光峰值波长范围为610～630nm。

3.一种纳米晶的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1，准备InZnP纳米晶溶液；

S2，将第一短链脂肪酸锌、第一非配位溶剂、第一长链脂肪酸在容器中混合并加热至第一温度，排气一定时间；在第二温度下向所述容器中加入所述InZnP纳米晶溶液，然后向所述容器中加入Se前体，反应一定时间生成核壳结构的InZnP/ZnSe纳米晶；

S3，向所述容器中加入S前体，在第三温度下反应一定时间后终止反应；

其中，所述Se前体和所述S前体加入量的摩尔比小于1。

4.一种纳米晶的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1，准备InZnP纳米晶溶液；

S2，将第一短链脂肪酸锌、第一非配位溶剂在容器中混合并加热至第一温度，排气一定时间；在第二温度下向所述容器中加入所述InZnP纳米晶溶液，反应一定时间后加入第一长链脂肪酸，然后在第二温度下向所述容器中加入Se前体，反应一定时间生成核壳结构的InZnP/ZnSe纳米晶；

S3，向所述容器中加入S前体，在第三温度下反应一定时间后终止反应；

其中，所述Se前体和所述S前体加入量的摩尔比小于1。

5.一种纳米晶的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1，准备InZnP纳米晶溶液；

S2，将第一短链脂肪酸锌、第一非配位溶剂、配体、第一长链脂肪酸在容器中混合并加热至第一温度，排气一定时间；在第二温度下向所述容器中加入所述InZnP纳米晶溶液，然后向所述容器中加入Se前体，反应一定时间，生成核壳结构的InZnP/ZnSe纳米晶；

S3，向所述容器中加入S前体，在第三温度下反应一定时间后终止反应；

其中，所述配体选自三辛胺、三辛基膦中的一种或多种，所述Se前体和所述S前体加入量的摩尔比小于1。

6.一种纳米晶的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1，准备InZnP纳米晶溶液；

S2，将第一短链脂肪酸锌、第一非配位溶剂、第一长链脂肪酸在第一容器中混合并加热至第一温度，排气一定时间；在所述第一温度下向所述第一容器中加入所述InZnP纳米晶溶液，加入第三长链脂肪酸，继续排气一定时间，然后在第四温度下向所述第一容器中加入Se前体，在第三温度下反应一定时间后终止反应并进行分离纯化重新溶解于第三非配位溶剂中，得到InZnP/ZnSe纳米晶溶液；

S3，将第二短链脂肪酸锌、第二非配位溶剂、第二长链脂肪酸在第二容器中混合并加热至第一温度，排气一定时间；在第二温度下向所述第二容器中加入所述InZnP/ZnSe纳米晶溶液，然后向所述第二容器中加入S前体，在第三温度下反应一定时间后终止反应；

其中，所述Se前体和所述S前体加入量的摩尔比小于1。