[发明专利]微流体致动器的制造方法

权利要求书

1.一种微流体致动器的制造方法，包含以下步骤：

提供一基板，该基板为一完成1P6M制程的基板；

沉积一第一保护层于该基板的一第一表面上；

沉积一致动区于该第一保护层上，该致动区更包含：依序沉积一下电极层、沉积一压电致动层以及沉积一上电极层；以及

通过光刻干式蚀刻部分该第一保护层，产出至少一第一保护层流道。

2.如权利要求1所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，更包含以下步骤：

通过湿式蚀刻部分该基板的一主结构，产出一腔体以及产出一第一多晶硅流道区，但未蚀刻该主结构的一1P6M氧化层中段的区域；

使用反应离子蚀刻部分该基板的一第二表面，产出至少一基板硅流道；以及

使用干式蚀刻部分一二氧化硅层，产出至少一二氧化硅流道。

3.如权利要求2所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，更包含以下步骤：

组装一下阀区于该基板的该第二表面下，以及组装一上阀区于该第一保护层上。

4.如权利要求2所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该主结构的该1P6M氧化层中段的区域更包含有一1P6M金属层中段。

5.如权利要求1所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，更包含以下步骤：

通过湿式蚀刻部分该基板的一主结构，产出一腔体，但未蚀刻该主结构的一1P6M氧化层中段的区域；以及

使用反应离子蚀刻部分该基板的一第二表面，产出至少一基板硅流道、至少一二氧化硅流道以及至少一第一多晶硅流道区。

6.如权利要求5所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该主结构的该1P6M氧化层中段的区域更包含有一1P6M金属层中段。

7.如权利要求5所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，通过湿式蚀刻部分该基板的该主结构的步骤中，亦未蚀刻该主结构的一氧化区。

8.一种微流体致动器的制造方法，包含以下步骤：

提供一基板，该基板为一完成2P4M制程的基板；

沉积一第一保护层于该基板的一第一表面上；

沉积一致动区于该第一保护层上，该致动区更包含：依序沉积一下电极层、沉积一压电致动层以及沉积一上电极层；以及

通过光刻干式蚀刻部分该第一保护层，产出至少一第一保护层流道。

9.如权利要求8所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，更包含以下步骤：

通过湿式蚀刻部分该基板的一主结构，产出一腔体，但未蚀刻该主结构的一2P4M氧化层中段的区域；

使用反应离子蚀刻部分该基板的一第二表面，产出至少一基板硅流道；以及

使用干式蚀刻部分一二氧化硅层，产出至少一二氧化硅流道。

10.如权利要求9所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，更包含以下步骤：

组装一下阀区于该基板的该第二表面下，以及组装一上阀区于该第一保护层上。

11.如权利要求9所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该主结构的该2P4M氧化层中段的区域更包含有一2P4M金属层中段。