[发明专利]具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物及其检测方法

权利要求书

1.一种具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物，其特征在于，所述表面增强拉曼底物包括具有微坑阵列的半导体基板和磁控溅射沉积在所述半导体基板的微坑阵列上的厚度为40～300nm的银薄膜，其中，

所述微坑阵列是通过纳秒到飞秒的激光脉冲点动照射半导体基板而形成，所述微坑阵列中每个微坑的直径为10～20μm，且任意两个相邻微坑的外边缘之间的距离不超过所述直径的1/6，所述微坑阵列具有粒径为40～90nm的多个纳米凸起点；

其中，所述银薄膜沉积在微坑阵列的表面上，同时能够包裹构成微坑阵列表面的一部分的所述多个纳米凸起点，银包裹纳米凸起点所形成的纳米颗粒，其内核为硅或二氧化硅外表面为银膜。

2.根据权利要求1所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物，其特征在于，所述微坑阵列中每个微坑的直径为13～17μm，且任意两个相邻微坑的外边缘之间的距离在零至所述直径的1/10，所述纳米凸起点的粒径为65～85nm。

3.根据权利要求1所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物，其特征在于，所述银薄膜的厚度为100～180nm。

4.根据权利要求1所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物，其特征在于，所述微坑阵列中的每个微坑对应的纳秒到飞秒的激光脉冲的脉冲数在8～40的范围选择。

5.根据权利要求4所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物，其特征在于，所述纳秒到飞秒的激光脉冲的功率为3～10mW。

6.根据权利要求1所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物，其特征在于，所述半导体基板为纯度达99.9％以上的硅基底或二氧化硅基底。

7.一种拉曼检测方法，其特征在于，所述拉曼检测方法以权利要求1至5中任意一项所述的具有分层微/纳米结构的表面增强拉曼底物作为盛放待测对象的底物。

8.根据权利要求7所述的拉曼检测方法，其特征在于，所述待测对象为生物药物、农药残留物或受环境污染的超低浓度溶液。