[发明专利]晶片的分割方法

说明书

提供晶片的分割方法，从晶片的正面良好地去除加工屑。在分割工序中对晶片(W)进行分割而得到芯片(C1)之后，在研磨工序中对芯片(C1)的正面(2a)进行研磨。由此，能够将附着或熔接在芯片(C1)的正面(2a)上的加工屑良好地去除。因此，能够提高与芯片(C1)制造相关的成品率。另外，在本实施方式中，在研磨工序中对芯片(C1)的正面(2a)实施使用了浆料的CMP研磨。这样的CMP研磨是在制造晶片(W)时对器件(4)的正面(即正面(2a))实施的研磨。因此，在研磨工序中，能够抑制芯片(C1)的正面(2a)发生劣化。

技术领域

本发明涉及晶片的分割方法。

背景技术

在半导体晶片中，在由格子状的分割预定线划分的晶片的正面的各区域内配置有器件。通过沿着分割预定线分割晶片，能够得到包含器件的芯片。这样的晶片的分割通过沿着分割预定线对切削刀具进行切削加工或者沿着分割预定线照射激光光线而对晶片进行烧蚀加工来实施。

在如上所述对晶片进行了分割加工的情况下，加工屑有时会附着在作为加工槽的刻痕附近的晶片正面上。因此，在利用切削刀具而进行的切削加工中，如专利文献1及专利文献2所记载的那样，提出了在切削加工中或切削加工后实施高压清洗的方案。另外，在使用激光光线的烧蚀加工中，如专利文献3所述，提出了利用保护膜来保护正面的方案。

专利文献1：日本特开2010-046726号公报

专利文献2：日本特开2006-187834号公报

专利文献3：日本特开2006-140311号公报

但是，在加工屑因加工热等而熔接于晶片的正面的情况下，即使在分割加工后实施清洗，有时也会在晶片的正面残留加工屑。

发明内容

本发明的目的在于提供晶片的分割方法，在分割加工后从晶片的正面良好地去除加工屑。

本发明的晶片的分割方法(本分割方法)对在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有器件的晶片沿着该分割预定线进行分割，其中，该晶片的分割方法包含如下的工序：分割工序，对在背面上粘贴有划片带并隔着该划片带而被卡盘工作台保持的该晶片沿着该分割预定线进行分割，从而形成多个包含该器件的芯片；研磨工序，在该分割工序之后，利用研磨垫对多个该芯片的正面进行研磨，从而去除加工屑；以及清洗工序，在该研磨工序之后，向该芯片的该正面侧提供清洗水，从而清洗该芯片。

在本分割方法中，在分割工序中将晶片分割而得到芯片后，在研磨工序中对芯片的正面进行研磨。由此，能够将附着或熔接在芯片的正面上的加工屑良好地去除。因此，能够提高与芯片制造相关的成品率。

附图说明

图1是示出晶片的立体图。

图2是示出包含晶片的工件组的说明图。

图3是示出分割工序的剖视图。

图4是示出研磨工序的剖视图。

图5是示出清洗工序的剖视图。

标号说明

WS：工件组；F：环状框架；T：划片带；W：晶片；2a：正面；2b：背面；3：分割预定线；4：器件；C1：芯片；30：切削装置；40：研磨装置；50：旋转清洗装置。

具体实施方式

在本实施方式的晶片的分割方法中，使用如图1所示的晶片W。如图1所示，晶片W是具有作为正面的正面2a及作为背面的背面2b的圆板状的硅基板。在晶片W的正面2a上，在由格子状的多条分割预定线3划分的各个区域内形成有器件4。