[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法

说明书

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法。用等离子体化的处理气体进行基片的处理的等离子体处理装置包括设置于被供给处理气体的处理容器内的载置台，该载置台载置作为处理对象的基片。支轴部包括从背面侧支承载置台，贯通处理容器的壁部而伸出到外部的伸出部分，并且与使载置台绕轴旋转的旋转机构连接。高频电源部供给等离子体处理用的高频电功率，高频屏蔽件覆盖伸出部分的支轴部以抑制高频的泄漏。支轴部和高频屏蔽件包括将其在长度方向分割的、能够一体拆卸的组件部。本发明的维护作业简单。

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置及其维护方法。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，对作为基片的半导体晶片(以下记为晶片)供给各种处理气体，由此进行成膜、蚀刻等各种处理。这种基片处理中，有时在处理容器内配置载置台，一边使配置有基片的状态的载置台旋转，一边供给等离子体化的处理气体。在实施该等离子体处理的等离子体处理装置中，需要用于一边使载置台自由旋转，一边将处理气体等离子体化的各种机构。

例如专利文献1记载有如下技术：在晶舟搭载多个基片并用电磁波对基片进行加热时，在使晶舟旋转的旋转轴的周围设置屏蔽电磁波的屏蔽件。

另外，在专利文献2记载了一种支承轴，在处理容器内对处理气体照射微波来进行等离子体处理的装置中，该支承轴支承保持基片的基片保持机构的下表面，并且贯通处理容器而与外部的旋转机构连接。该等离子体处理装置中设置有扼流件(choke)，在使用磁性流体密封件将该支承轴与处理容器之间气密地堵塞时，用于防止微波的泄漏导致磁性流体密封件被加热。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-188161号公报

专利文献2：日本特开2016-21524号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供维护作业简单的等离子体处理装置及其维护方法。

用于解决技术问题的技术方案

本发明为一种用等离子体化的处理气体进行基片的处理的等离子体处理装置，其包括：

处理容器，其设置有进行所述处理气体的供给的处理气体供给部；

设置于所述处理容器内的载置台，其用于载置作为处理对象的基片；

支轴部，其从载置基片的一面的背面侧支承所述载置台，具有贯通所述处理容器的壁部而伸出到外部的伸出部分，并且与使该载置台绕轴旋转的旋转机构连接；

供给等离子体处理用的高频电功率的高频电源部；以及

覆盖所述伸出部分的支轴部以抑制所述高频电功率向外部泄漏的高频屏蔽件，

包括将所述支轴部与所述高频屏蔽件在长度方向上分割的能够一体拆卸的组件部。

发明效果 

根据本发明，能够使维护作业简单。

附图说明

图1是具有本发明的等离子体处理装置的基片处理系统的俯视图。

图2是上述等离子体处理装置的纵断侧视图。

图3是上述等离子体处理装置的支轴部的纵截侧视图。

图4是表示上述支轴部的内部结构的纵截侧视图。

图5是表示上述支轴部的旋转机构的俯视图。

图6是上述支轴部的分解图。