[发明专利]OLED显示面板及显示装置在审

专利信息
申请号: 202010195001.1 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN111384297A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: 王鹏 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/32;H01L27/12
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 刁文魁
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: oled 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种OLED显示面板,所述OLED显示面板具有发光区和非发光区,其特征在于,所述OLED显示面板包括:

衬底基板;

TFT层,设置在所述衬底基板的一侧;

平坦化层,设置在所述TFT层远离所述衬底基板的一侧,所述平坦化层对应所述发光区形成有第一凹槽;

阳极层,包括弯折部和水平部,所述弯折部覆盖于所述第一凹槽表面,所述水平部由所述第一凹槽两侧延伸至所述非发光区,且所述弯折部表面对应所述发光区形成有第二凹槽;

像素定义层,位于所述平坦化层远离所述TFT层一侧,沿着所述第二凹槽两侧侧壁的延长线分离设置,且覆盖所述水平部;

发光层,设置在所述第二凹槽表面上,且与所述弯折部对位设置;

阴极层,整层设置在所述发光层上和所述像素定义层表面;

封装层,设置在所述阴极层表面。

2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述TFT层包括制备于所述衬底基板表面的遮光层、制备于所述衬底基板表面且覆盖所述遮光层的缓冲层、制备于所述缓冲层上有源层、制备于所述缓冲层上且覆盖所述有源层的第一栅绝缘层、制备于所述第一栅绝缘层上第一栅极、制备于所述第一栅绝缘层上且覆盖所述第一栅极第二栅绝缘层、制备于所述第二栅绝缘层上第二栅极、制备于所述第二栅绝缘层上且覆盖所述第二栅极的层间绝缘层、制备于层间绝缘层上源极和漏极;其中,所述平坦化层对应所述漏极的位置设置有阳极过孔,所述水平部中一侧通过所述阳极过孔与所述漏极电性连接。

3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层,所述第一凹槽位于所述第二平坦化层中。

4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述弯折部包括第一倾斜部、水平连接部、以及第二倾斜部,其中,所述第一倾斜部、所述水平连接部、以及所述第二倾斜部为一体成型。

5.根据权利要求4所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一倾斜部和所述第二倾斜部关于所述水平连接部中心线对称。

6.根据权利要求4所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一倾斜部与所述水平连接部形成有第一夹角,所述第二倾斜部与所述水平连接部形成有第二夹角,所述第一夹角和所述第二夹角均为30°至60°。

7.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一凹槽和所述第二凹槽的内壁均向所述凹槽的中心倾斜或弯曲。

8.根据权利要求7所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一凹槽和所述第二凹槽均为圆弧、倒梯形、倒三角形中一种图形。

9.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述阳极层为透明电极层,所述透明电极层为氧化铟锡或氧化铟锌。

10.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述发光层表面设置有偏光层,所述偏光层为液晶层或聚乙烯醇膜中一种或两种组合膜层。

11.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述阳极层和所述发光层之间设置有反射层,所述反射层为铝、银或镍金属膜。

12.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至10任一项所述的OLED显示面板、以及位于所述OLED显示面板上方的保护盖板,其中,所述保护盖板为凸透镜。

13.根据权利要求12所述的显示装置,其特征在于,所述凸透镜为凸起结构,且所述凸透镜的圆心角为0°到180°。

14.根据权利要求13所述的显示装置,其特征在于,所述凸透镜为中空的半球状。

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