[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种多孔氮化硅陶瓷，其特征在于，由以下原料按重量份组成：50～90份氮化硅、1～30份的聚苯乙烯、1～30份的SiO₂-CaO-MgO玻璃料、1～10份聚乙烯醇缩丁醛，其中，所述氮化硅为形态呈棒状的β相的氮化硅结晶形态，其粒径范围为1～50μm，纯度为95～99.99％。

2.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷，其特征在于，所述聚苯乙烯为颗粒状，其粒径范围为1～100μm，纯度为95～99.99％。

3.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷，其特征在于，所述SiO₂-CaO-MgO玻璃料的平均粒径为10μm。

4.权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)将氮化硅、聚苯乙烯、SiO₂-CaO-MgO玻璃料、聚乙烯醇缩丁醛按重量份称取后混合，分散于无水乙醇溶剂中进行球磨得到陶瓷浆料，再干燥后研磨得到陶瓷粉体；

步骤2)将步骤1)制得的陶瓷粉体压制成型制成素坯；

步骤3)在保护气氛条件下，将步骤2)制得的素坯置于高压烧结炉中先排胶后烧结，得到陶瓷坯体。

5.根据权利要求4所述的多孔氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤1)所述干燥为真空干燥，温度为50～80℃。

6.根据权利要求4所述的多孔氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤2)所述压制成型的压力为2～5MPa，时间为0～10s。

7.根据权利要求4所述的多孔氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤3)所述保护气氛为氮气气氛。

8.根据权利要求4所述的多孔氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤3)所述排胶的温度为400～500℃，时间为1～5h。

9.根据权利要求4所述的多孔氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤3)所述烧结的温度为600～900℃，时间为1～3h。