[发明专利]天线装置及电子设备

权利要求书

1.一种天线装置，其特征在于，所述天线装置包括至少一层介质基板、接地金属层、辐射贴片、第一馈电结构、第一偏转贴片和射频芯片；

所述接地金属层、所述至少一层介质基板和所述辐射贴片层叠设置，所述第一馈电结构贯穿所述至少一层介质基板，所述第一馈电结构的第一端与所述辐射贴片连接，所述第一馈电结构的第二端穿过所述接地金属层，且与所述射频芯片电连接，所述第一馈电结构与所述接地金属层之间形成第一间隙，所述射频芯片用于馈入第一激励信号至所述第一馈电结构，所述第一激励信号用于激励所述辐射贴片辐射波束；

所述第一偏转贴片固定在第一层介质基板上远离所述接地金属层的一侧，所述第一偏转贴片位于所述辐射贴片的第一侧，所述第一偏转贴片能够由非晶态转换为晶态，或者由晶态转换为非晶态，所述第一层介质基板为所述至少一层介质基板中的任一层介质基板，所述第一偏转贴片用于在晶态时促使所述辐射贴片基于所述第一激励信号辐射的波束偏转；

所述天线装置还包括第二馈电结构和第三偏转贴片，所述第二馈电结构贯穿所述至少一层介质基板，所述第二馈电结构的第一端与所述辐射贴片电连接，所述第二馈电结构的第二端穿过所述接地金属层，且与所述射频芯片电连接，所述第二馈电结构与所述接地金属层之间形成第二间隙，所述射频芯片用于馈入第二激励信号至所述第二馈电结构，所述第二激励信号用于激励所述辐射贴片辐射波束；

所述第三偏转贴片位于所述辐射贴片上与第一侧相邻的第三侧，所述第三偏转贴片能够由非晶态转换为晶态，或者由晶态转换为非晶态，所述第三偏转贴片用于在晶态时促使所述辐射贴片基于所述第二激励信号辐射的波束的偏转。

2.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述天线装置还包括第一导电结构；

所述第一导电结构贯穿所述至少一层介质基板，所述第一导电结构的第一端与所述第一偏转贴片连接，所述第一导电结构的第二端穿过所述接地金属层，且用于与外接电路电连接，所述第一导电结构与所述接地金属层绝缘设计，所述外接电路用于馈入第一电信号至所述第一导电结构，所述第一电信号用于激励所述第一偏转贴片由非晶态转换为晶态，或者由晶态转换为非晶态。

3.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述辐射贴片与所述第一偏转贴片之间的距离大于或等于0.2且小于或等于2毫米。

4.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述天线装置还包括第二偏转贴片；

所述第二偏转贴片固定在所述第一层介质基板上远离所述接地金属层的一侧，所述第二偏转贴片位于所述辐射贴片上与第一侧相对的第二侧，所述第二偏转贴片能够由非晶态转换为晶态，或者由晶态转换为非晶态。

5.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述天线装置还包括第二偏转贴片；

所述第二偏转贴片固定在第二层介质基板上远离所述接地金属层的一侧，所述第二偏转贴片位于所述辐射贴片上与第一侧相对的第二侧，所述第二偏转贴片能够由非晶态转换为晶态，或者由晶态转换为非晶态，所述第二层介质基板为所述至少一层介质基板中不同于所述第一层介质基板的一层介质基板。

6.如权利要求4所述的天线装置，其特征在于，当所述第二偏转贴片固定在所述第一层介质基板上远离所述接地金属层的一侧时，所述第三偏转贴片固定在所述第一层介质基板或第三层介质基板上远离所述接地金属层的一侧，所述第三层介质基板为所述至少一层介质基板中不同于所述第一层介质基板的一层介质基板。

7.如权利要求6所述的天线装置，其特征在于，所述天线装置还包括第四偏转贴片；

当所述第三偏转贴片固定在所述第一层介质基板上远离所述接地金属层的一侧时，所述第四偏转贴片固定在所述第一层介质基板或第四层介质基板上远离所述接地金属层的一侧，所述第四层介质基板为所述至少一层介质基板中不同于所述第一层介质基板的一层介质基板；

所述第四偏转贴片位于所述辐射贴片上与第三侧相对的第四侧，所述第四偏转贴片能够由非晶态转换为晶态，或者由晶态转换为非晶态。