[发明专利]基于单基线的地表高程校正方法、装置、设备及存储介质有效
申请号: | 202010195430.9 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111239736B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 付海强;刘志卫;朱建军;赵蓉;王会强 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | G01S13/90 | 分类号: | G01S13/90;G01S13/88;G01S7/40 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人: | 龚燕妮 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 基线 地表 高程 校正 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
本发明公开了一种基于单基线的地表高程校正方法、装置、设备及存储介质,其中方法为:获取研究区域的两个全孔径影像,采用子孔径分解技术获取每个全孔径影像分解为两个子视影像;对全孔径影像和子视影像预处理得到对应的干涉图;对两个子视干涉图均使用DEM数据进行去地形处理,以及去平地和轨道误差相位,得到包括相同对流层延迟误差的两个子视差分干涉图;采用小波分解技术,对两个子视差分干涉图的高频小波系数进行相关性分析,提取对流层延迟误差相位;将得到的对流层延迟误差相位从全孔径干涉图中去除,再根据卫星轨道参数计算得到地表高程数据。本发明仅需使用两景全孔径影像即可提取对流层延迟误差相位,并且得到高精度的地表高程数据。
技术领域
本发明涉及合成孔径雷达干涉测量(InSAR)技术在大范围地形测量中的应用,属于星载合成孔径雷达提取地表高程技术领域,具体是指一种基于单基线的地表高程校正方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
数字高程模型(digital elevation model,DEM)是国家经济建设、社会发展和国家安全必不可少的基础图件,是基础设施规划、设计和施工及资源调查、开发所必须的基础资料。合成孔径雷达(InSAR)技术,具备全天候、全天时、观测周期短、大范围的优势,成为了一种获取全球DEM的强有力工具。然而,在进行InSAR对地观测时,雷达信号会受到多种因素的影响,这也误差严重影响了采用InSAR技术进行地形测量的精度。对于目前常用的重轨星载SAR系统而言,对流层延迟误差是影响其测高精度最主要的误差源之一。因此,为了获取大范围、高精度的InSAR数字高程模型,必须对干涉相位中包含的对流层延迟误差进行有效的估计和去除。
目前,InSAR测量中常用的对流层延迟误差改正方法主要包括以下三类:1)相位-高程的相关性分析分析法;2)外部水汽数据辅助法;3)时序InSAR分析法。其中,第一类方法通常需要依赖于一定的先验信息,即对流层延迟误差相位与地面高度呈现一定的相关性,且该方法只能去除与地形相关的对流层延迟误差相位,当干涉图中与地形不相关的湍流误差占优时,该方法不能得到较好的改正结果;相较于第一类方法,第二类方法要求SAR数据与外部水汽数据之间具有较好的时空一致性,这就限制了该方法的推广使用;与前两类方法不同的是,为了使用第三类方法得到较好的改正结果,需要覆盖同一地区的大量SAR数据量。然而,在实际应用中,由于外部数据的缺乏或SAR数据量较少,上述方法很难取得较好的对流层延迟误差改正效果。
因此,有必要设计一种无需依赖外部水汽辅助数据或过量SAR数据的对流层延迟误差校正方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种基于单基线的地表高程校正方法、装置、设备及存储介质,通过提取对流层延迟误差相位以对地表相位进行校准,从而得到更高精度的地表高程数据。
为实现上述技术目的,本发明采用如下技术方案:
一种基于单基线的地表高程校正方法,包括以下步骤:
步骤1,获取研究区域的两个全孔径SAR影像,采用子孔径分解技术将每个全孔径SAR影像分解为两个与方位向入射角对应的子视影像;
步骤2,对两个全孔径SAR影像进行预处理得到全孔径干涉图;对同一方位向入射角的两个子视影像进行预处理,得到与方位向入射角对应的子视干涉图;
步骤3,对两个子视干涉图,均使用DEM数据并采用差分干涉技术进行去地形处理,然后再去除平地相位和轨道误差相位处理,得到两个如以下公式所示的子视差分干涉图:
式中,α1和α2代表两个不同的方位向入射角,φdiff为子视差分干涉图中的差分干涉相位,△φtopo为地形误差相位,φatmo为对流层延迟误差相位,φnoise为随机噪声误差相位;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学,未经中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010195430.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。