[发明专利]一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置

权利要求书

1.一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：包括坩埚本体(1)，所述的坩埚本体(1)上端设置有上盖(2)，所述的坩埚本体(1)内底部铺设有晶体生长源料(3)，所述的晶体生长源料(3)顶端放置有导流结构(4)，所述的导流结构(4)的上端设置有多个卡槽(8)，所述的卡槽(8)固定连接套筒结构(5)的底部，所述的套筒结构(5)的顶端设置有套筒盖(6)，籽晶(7)固定于所述的套筒结构(5)的上端位置。

2.根据权利要求1所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：所述的坩埚本体(1)为圆柱形筒状结构，所述的坩埚本体(1)的上盖(2)通过螺纹连接或者卡接于所述的坩埚本体(1)的上端。

3.根据权利要求1所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：所述的坩埚本体(1)的材料为石墨、金属钨、BN、金属Ta中的一种，所述的坩埚本体(1)的上盖(2)材料为石墨、金属钨、BN、金属Ta中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：所述的导流结构(4)为薄层结构，所述的导流结构(4)的底部与所述的晶体生长源料(3)紧密连接，所述的导流结构(4)的底部两端与所述的坩埚本体(1)的内部侧面边缘紧密连接，所述的导流结构(4)为圆台形筒状结构或者圆柱形筒状结构，所述的卡槽(8)的个数与所述的套筒结构(5)的个数相同。

5.根据权利要求4所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：所述的导流结构(4)的厚度为1-5mm，高度为10-15mm，所述的卡槽(8)深度1-2mm，所述的圆台形导流结构(4)的底角为60度，所述的导流结构的材料为石墨、金属钨、BN、金属Ta中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：所述的套筒结构(5)为薄层筒状结构，所述的套筒结构(5)的内部上端左右两侧设置有台阶(9)，籽晶(7)卡装在所述的套筒结构(5)的上端台阶(9)位置，所述的套筒结构(5)直径大于所述的籽晶(7)的直径0.1-1mm，所述的套筒结构(5)的厚度为1-5mm，所述的坩埚本体(1)的直径为所述的套筒结构(5)直径的2.2-3倍。

7.根据权利要求1所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：所述的套筒结构的材料为石墨、金属钨、BN、金属Ta中的一种。

8.根据权利要求1所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：所述的籽晶(7)粘接所述的套筒盖(6)的端面上。

9.根据权利要求1所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：所述的套筒结构(5)的个数为3个或7个。

10.根据权利要求1所述的一种基于物理气相输送法晶体制备用多籽晶坩埚装置，其特征在于：在PVT法反应炉中，坩埚本体下方放置有石墨硬毡，石墨硬毡下方通过金属承载件支撑，金属承载件通过转轴与炉体外相连，电机设置于炉体下方，电机带动转轴传动，以实现密闭空间内坩埚本体匀速旋转，增加温场均匀性。