[发明专利]制热-冷冻-声波联用硅块破碎装置和方法在审

专利信息
申请号: 202010196602.4 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN111468260A 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 张天雨;魏富增;田新;李嘉佩;闫家强;孙志东 申请(专利权)人: 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
主分类号: B02C19/18 分类号: B02C19/18;B02C21/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 肖阳
地址: 221004 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 制热 冷冻 声波 联用 破碎 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种硅块破碎装置,其特征在于,包括:

传动装置;

加热区、缓冲区、冷冻区和声波区,所述加热区、缓冲区、冷冻区和声波区沿所述传动装置的长度方向依次布置,所述加热区内设有加热设备和进料口,所述冷冻区内设有冷冻设备,所述声波区内设有声波发生设备和出料口。

2.根据权利要求1所述的硅块破碎装置,其特征在于,进一步包括:

第一隔离门,所述第一隔离门设在所述加热区和所述缓冲区之间;

第二隔离门,所述第二隔离门设在所述缓冲区和所述冷冻区之间;

第三隔离门,所述第三隔离门设在所述冷冻区和所述声波区之间。

3.根据权利要求1所述的硅块破碎装置,其特征在于,进一步包括:

速度控制模块,所述速度控制模块与所述传动装置相连,且被配置为控制所述传动装置使物料在所述加热区的停留时间为2~4h,在所述冷冻区的停留时间为15~30min。

4.根据权利要求1所述的硅块破碎装置,其特征在于,进一步包括:

第一温度控制模块,所述第一温度控制模块与所述加热设备相连,且被配置为控制所述加热设备使所述加热区的温度为600~700℃;

第二温度控制模块,所述第二温度控制模块与所述冷冻设备相连,且被配置为控制所述冷冻设备使所述冷冻区的温度为0~30℃。

5.根据权利要求1所述的硅块破碎装置,其特征在于,进一步包括:

功率控制模块,所述功率控制模块与所述声波发生设备相连,且被配置为控制所述声波发生设备的功率为5000~8000W。

6.根据权利要求1所述的硅块破碎装置,其特征在于,所述声波发生设备具有环绕式排列的振子。

7.一种硅块破碎方法,其特征在于,所述硅块破碎方法采用权利要求1~6任一项所述的硅块破碎装置实施,所述硅块破碎方法包括:

将硅块依次进行热处理和冷处理,得到高脆度硅块;

将所述高脆度硅块进行声波处理,得到硅块碎料。

8.根据权利要求7所述的硅块破碎方法,其特征在于,所述热处理在600~700℃下进行2~4h完成;所述冷处理在0~30℃下进行15~30min完成。

9.根据权利要求7所述的硅块破碎方法,其特征在于,所述声波处理在5000~8000W声波功率下进行。

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