[发明专利]稳定同位素气体分离方法及装置

权利要求书

1.一种稳定同位素气体分离方法，其特征在于，包括：

a)将含有原料气的混合气体与吸附材料接触，吸附；

其中，所述原料气中含有目标同位素气体；

b)升温，得到脱附气体；

其中，所述脱附气体中含有所述目标同位素气体；

所述目标同位素气体为稳定同位素气体。

2.根据权利要求1所述的稳定同位素气体分离方法，其特征在于，所述吸附材料为分子筛。

3.根据权利要求1所述的稳定同位素气体分离方法，其特征在于，所述稳定同位素气体中含有稳定同位素，所述稳定同位素选自¹⁰B、¹³C、¹⁵N中的任一种。

4.根据权利要求3所述的稳定同位素气体分离方法，其特征在于，所述稳定同位素为¹⁰B，所述稳定同位素气体为¹⁰B₂H₆；或者，

所述稳定同位素为¹³C，所述稳定同位素气体选自¹³CO、¹³CO₂、¹³CH₄中的任一种；或者，

所述稳定同位素为¹⁵N，所述稳定同位素气体选自¹⁵NO、¹⁵NH₃中的任一种。

5.根据权利要求3所述的稳定同位素气体分离方法，其特征在于，所述稳定同位素气体为¹⁰B₂H₆，吸附温度为-40～-140℃；或者，

所述稳定同位素气体为¹³CO，吸附温度为-150～-200℃；或者，

所述稳定同位素气体为¹³CO₂，吸附温度为-30～-130℃；或者，

所述稳定同位素气体为¹³CH₄，吸附温度为-110～-200℃；或者，

所述稳定同位素气体为¹⁵NO，吸附温度为-100～-200℃；或者，

所述稳定同位素气体为¹⁵NH₃，吸附温度为-20～-80℃。

6.根据权利要求1所述的稳定同位素气体分离方法，其特征在于，所述升温的速率为2～10℃/min。

7.根据权利要求1所述的稳定同位素气体分离方法，其特征在于，所述脱附条件为：脱附温度为500～600℃；

优选地，所述稳定同位素气体为¹⁰B₂H₆，脱附温度为500～600℃；或者，

所述稳定同位素气体为¹³CO，脱附温度为500～580℃；或者，

所述稳定同位素气体为¹³CO₂，脱附温度为550～600℃；或者，

所述稳定同位素气体为¹³CH₄，脱附温度为500～600℃；或者，

所述稳定同位素气体为¹⁵NO，脱附温度为500～550℃；或者，

所述稳定同位素气体为¹⁵NH₃，脱附温度为500～550℃。

8.根据权利要求1所述的稳定同位素气体分离方法，其特征在于，所述原料气体中还含有非目标同位素气体；

所述非目标同位素气体中含有非目标同位素；

所述非目标同位素与所述目标同位素为同一元素的不同同位素；

所述混合气体中还含有载气；

所述载气选自惰性气体中的任一种；

所述载气的流程为0.2～1L/min；

所述原料气的进气压力为0.1～0.3Mpa。