[发明专利]电子组件、包括该电子组件的电子设备以及用于制造电子组件的方法在审
申请号: | 202010198695.4 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111726931A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 孔志雄;徐政柱;禹成宇 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/09;H05K1/18;H05K3/00;H05K3/12;H05K7/14;H05K9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 潘军 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 组件 包括 电子设备 以及 用于 制造 方法 | ||
1.一种电子组件,所述电子组件包括:
电路板,所述电路板包括第一边缘表面和具有导电性的迹线;
电子元件,所述电子元件包括与所述第一边缘表面在空间上间隔开的侧向边缘,并且安装在所述电路板上并且电连接到所述迹线;
保护层,所述保护层包括第二边缘表面并且设置在所述电子元件上以基本上覆盖所述电子元件;
磁场屏蔽膜,所述磁场屏蔽膜包括第三边缘表面并且设置在所述保护层上;和
第一金属层,
其中所述第一边缘表面被构造为连接所述电路板的主顶表面和所述电路板的主底表面,所述第二边缘表面被配置为连接所述保护层的主顶表面和所述保护层的主底表面,并且所述第三边缘表面被配置为连接所述磁场屏蔽膜的主顶表面和所述磁场屏蔽膜的主底表面,并且所述第一边缘表面、所述第二边缘表面和所述第三边缘表面彼此基本上对准以形成基本上平面的耦合边缘表面,
其中所述第一金属层设置在所述磁场屏蔽膜上,并且被配置为覆盖所述磁场屏蔽膜的所述主顶表面以及所述耦合边缘表面。
2.根据权利要求1所述的电子组件,
其中所述保护层的所述主底表面不是基本上平面的,并且所述保护层的所述主顶表面是基本上平面的。
3.一种电子组件,所述电子组件包括:
板;
多个半导体集成电路,所述多个半导体集成电路彼此在空间上间隔开并且安装在所述板上;
纳米晶软磁性膜,所述纳米晶软磁性膜被配置为屏蔽所述集成电路;和
第一金属边缘表面,所述第一金属边缘表面被配置为连接所述纳米晶软磁性膜的主顶表面和所述电子组件的主底表面,并且是基本上平面的,
其中所述第一金属边缘表面包括
第一规则图案,所述第一规则图案包括彼此基本上平行的第一特征。
4.一种电子组件,所述电子组件包括:
板;
安装在所述板上的至少一个半导体集成电路;
纳米晶软磁性膜,所述纳米晶软磁性膜被配置为屏蔽所述至少一个集成电路;和
第一金属边缘表面和第二金属边缘表面,所述第一金属边缘表面和所述第二金属边缘表面被配置为分别连接所述纳米晶软磁性膜的主顶表面和所述电子组件的主底表面,并且是基本上平面的,
其中所述第一金属边缘表面和所述第二金属边缘表面中的每一个包括第一图案和第二图案中的任一个,
其中所述第一图案具有含有第一峰的第一傅立叶转换,并且所述第二图案具有含有第二峰的第二傅立叶转换。
5.一种电子组件,所述电子组件包括:
板,所述板包括具有导电性的多条迹线;
多个半导体集成电路,所述多个半导体集成电路彼此在空间上间隔开并且安装在所述板的第一主表面上,并且与所述多条迹线电连接;
第一金属膜,所述第一金属膜设置在所述多个集成电路上;和
磁场屏蔽层,所述磁场屏蔽层设置在所述第一金属膜和所述多个集成电路之间,
其中所述磁场屏蔽层和所述第一金属膜被配置为分别覆盖所述多个集成电路,
其中所述第一金属膜在所述电子组件的边缘之上朝所述板的所述第一主表面延伸以至少部分地覆盖所述多个集成电路,并且物理地接触所述板的所述第一主表面的侧向边缘。
6.一种用于制造电子组件的方法,所述方法包括:
提供板以及至少两个在空间上隔开的半导体集成电路,所述板包括具有导电性的多条迹线,所述至少两个在空间上隔开的半导体集成电路安装在所述板的第一主表面上并且与所述多条迹线电连接;
在所述至少两个在空间上隔开的集成电路上设置保护层;
通过在所述保护层的主顶表面上设置磁场屏蔽膜来形成多层制品;
通过在所述至少两个在空间上隔开的集成电路之间的预先确定的切割点处沿所述多层制品的厚度方向切割所述多层制品来制备至少两个切割的多层制品,所述切割的多层制品中的每一个包括切割的多层边缘表面,所述切割的多层边缘表面包括所述板、所述保护层和所述磁场屏蔽膜在所述预先确定的切割点处的暴露边缘;以及
关于所述切割的多层制品中的至少一个,通过至少在所述至少一个切割的多层制品的主顶表面和所述切割的多层边缘表面上设置第一金属层来制造所述电子组件。
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