[发明专利]一种适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构

权利要求书

1.一种适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：包括有异质结PECVD载板基体，异质结PECVD载板基板上并排设置、平行分布有若干能够载放硅片的凹槽，每个凹槽两侧壁与异质结PECVD载板基体上表面互相垂直，每个凹槽底部沿着自两侧边缘向中间的方向逐渐向下倾斜，使得每个凹槽底部的截面轮廓线为规则的向下凹陷的几何形状。

2.根据权利要求1所述适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：所述每个凹槽底部的截面轮廓线包括两侧互相对称的两段倾斜直线段，和连接于两段倾斜直线段之间的一段劣弧形圆弧线，截面轮廓线的两段倾斜直线段使得凹槽底部两侧构成斜面，两段倾斜直线段之间最大距离大于硅片宽度，最小距离小于硅片宽度。

3.根据权利要求1所述适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：所述每个凹槽底部的截面轮廓线包括两侧互相对称的两段倾斜直线段，和连接于两段倾斜直线段之间的一段水平直线段，使得每个凹槽底部的截面形状为倒置梯形，两段倾斜直线段之间最大距离大于硅片宽度，最小距离小于硅片宽度。

4.根据权利要求2或3所述适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：所述每个凹槽两侧壁自异质结PECVD载板基体上表面向内、向下倾斜，直接构成每个凹槽底部截面轮廓线两侧互相对称的两段倾斜直线段；异质结PECVD载板基板上表面位于每个凹槽两侧边缘的位置对称设置有限位卡块。

5.根据权利要求2、3、4所述之一适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：所述两段倾斜直线段中点之间距离与硅片宽度互相一致。

6.根据权利要求2、3、4所述之一适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：所述每个凹槽底部位于截面形状为两段倾斜直线段的部位设置有若干导气槽，每个导气槽分别自凹槽侧壁向内延伸。

7.根据权利要求2、3、4所述之一适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：所述每个凹槽底部除去截面形状为两段倾斜直线段的部位外的其他部位设置有若干导气孔。

8.根据权利要求1所述适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：所述每个凹槽底部的截面轮廓线为一段劣弧形，劣弧形两端直接连接至凹槽两侧壁底端，劣弧形弦长大于硅片宽度。

9.根据权利要求8所述适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：所述每个凹槽底部的截面轮廓线为一段劣弧形，劣弧形两端直接连接至异质结PECVD载板基板上表面，劣弧形弦长大于硅片宽度；异质结PECVD载板基体上表面位于每个凹槽两侧边缘的位置对称设置有限位卡块。

10.根据权利要求8或9所述适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，其特征在于：所述每个凹槽底部位于劣弧形截面两端的部分设置有若干导气槽，每个导气槽分别自凹槽侧壁向内延伸；或者在每个凹槽底部位于劣弧形截面中部的位置设置若干导气孔。