[发明专利]R－T－B系烧结磁体在审
| 申请号： | 202010199666.X | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111739704A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 | ||
【权利要求书】：
1.一种R－T－B系烧结磁体，其特征在于：
剩磁通密度Br为1.47T以上，矫顽力HcJ为1900kA/m以上，并且含有Tb，Tb的含量为0.35mass％以下。
2.如权利要求1所述的R－T－B系烧结磁体，其特征在于：
含有RL，该RL为轻稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr，将RL的含量(mass％)设为[RL]、将氧的含量(mass％)设为[氧]时，
26.5mass％≤([RL])－6×[氧]≤28.8mass％。
3.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体，其特征在于：
包含从磁体表面向磁体内部，Tb浓度逐渐减少的部分。
4.如权利要求1～3中任一项所述的R－T－B系烧结磁体，其特征在于：
包含从磁体表面向磁体内部，Pr浓度逐渐减少的部分。
5.如权利要求1～4中任一项所述的R－T－B系烧结磁体，其特征在于：
包含从磁体表面向磁体内部，Ga浓度逐渐减少的部分。
6.如权利要求1～5中任一项所述的R－T－B系烧结磁体，其特征在于：
Tb含量为0.30mass％以下。
7.如权利要求1～6中任一项所述的R－T－B系烧结磁体，其特征在于：
将氧的含量mass％设为[氧]时，
0.01mass％≤[氧]≤0.15mass％。
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