[发明专利]一种钼靶坯的水浸式超声波探伤方法

说明书

本发明涉及一种钼靶坯的水浸式超声波探伤方法，所述水浸式超声波探伤方法包括如下步骤：(1)对烧结所得钼靶坯进行表面处理；(2)将经过表面处理的钼靶坯放置于水槽中，进行水浸式超声波探伤。传统的水浸式超声波探伤的目的为探索钼靶坯内部的缺陷，因此，往往不对钼靶坯的表面进行处理，本发明创造性的对钼靶坯进行表面处理，通过对经过表面处理的钼靶坯进行水浸式超声波探伤，减少了水浸式超声波探伤时的杂波信号，提高了检测的精确度；而且，通过对钼靶坯车削过程中的废料进行密度检测，已确定钼靶坯的密度达到产品要求。

技术领域

本发明属于溅射靶材制备技术领域，涉及一种靶材的探伤方法，尤其涉及一种钼靶坯的水浸式超声波探伤方法。

背景技术

钼作为一种稀有金属材料，具有高熔点、高电导率、低阻抗、耐腐蚀性等诸多优良性能。基于上述特性，钼靶坯在电子行业中应用非常广泛，按市场需求量来分析，钼靶坯主要应用于平面显示器、镀膜太阳能电池电极、配线材料以及半导体阻挡层材料等领域。

近年来，随着市场对平面显示器需求的不断扩大，PVD制备过程所需的溅射钼靶坯市场需求量日趋旺盛。目前，钼靶生产工艺包括粉末冶金烧结、热轧处理、退火处理、后续加工等工序，加工所得钼靶需要控制杂质元素、微观结构以及致密度。

其中，钼靶作为溅射中的阴极源，固体中的杂质以及气孔中的气体是沉积薄膜的主要污染源，因此，在钼靶生产过程中需要严格控制杂质元素，最大程度降低其在钼靶中的含量；而且，细小尺寸晶粒的钼靶溅射速率要比粗晶快，且晶粒尺寸均匀的靶材，沉积薄膜的厚度也更近均匀，此外钼靶晶粒方向对溅射速率以及沉积薄膜的均匀性有直接的影响，因此，在钼靶生产过程中需要严格控制钼靶的晶粒大小、尺寸均匀性以及晶粒取向；钼靶在磁控溅射过程中，若靶材内部孔隙存在的气体突然释放，会造成镀膜之后的膜材受二次电子轰击造成微粒飞溅，这些微粒会降低镀膜的品质。

因此，为了保证磁控溅射的质量，需要对生产出的钼靶进行探伤检测，以保证钼靶能够满足磁控溅射的要求。无损检测是探伤检测中的重要检测方法，其中超声波探伤是无损检测中的一种重要检测方法，超声波探伤是利用超声波在进入不同声速的介质层是会出现不同高度的回波来判断检测工件表面及内部是否存在缺陷。具有较高的探伤灵敏度、周期短、成本低与效率高等油优点。

超声波作为水浸式超声波探伤的核心部分，工作人员通过判断其波形来判断工件是否存在缺陷。CN 107941920 A公开了一种水浸式屏蔽电磁的超声波探伤仪，包括超声波探头、电磁屏蔽设备、超声波探伤仪以及信号线缆；所述超声波探伤仪设有声波接口；所述信号线缆前端与所述超声波探头连接，后端与所处超声波接口连接；所述电磁屏蔽设备覆盖信号线缆表面，该超声波探伤仪通过电磁屏蔽设备的设置来减少超声波对超声波探伤的影响，从而减少电机电磁波产生的噪音。

CN 203981634 U公开了一种钼或钼合金管形靶材用超声探伤装置，包括超声波探伤仪和方形水池，方形水池两侧设有支架，支架与第一导轨连接，第二导轨底部固设有第一滑块，第一导轨与第一滑块滑动连接，第二导轨与第二滑块滑动连接，第二滑块上固设有连杆，连杆底部与超声探伤仪的超声探头连接；方形水池内沿长度方向设有传动轴，传动轴与方形水池外的电动机连接，传动轴上设有传动辊，传动辊旁设有从动辊。所述超声波探伤装置通过传动轴与传动辊的设置提高了超声波探伤的效率。

CN 209707445 U公开了一种超声波水浸探伤设备，包括水槽和设置在水槽上方的探伤仪，所述水槽内设置有水平的支架，所述水槽长度方向的一端设置有斜板，所属斜板的下端和支架的侧边之间连接有搭放板，所述水槽内沿其长度方向滑动设置有推送装置，所述推送装置包括安装架以及若干个U形卡具，所述水槽的两长侧壁上开设有两条平行的T行滑槽，所述安装架的两侧竖版上固定有与T行滑槽相配合的T形块，所述安装架滑动设置在T行滑槽内。该探伤设备能够将靶材有序放置在水槽内，使探伤检测过程更加方便。