[发明专利]发光二极管芯片封装结构及其制作方法有效
申请号: | 202010199947.5 | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN113257976B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 廖建硕 | 申请(专利权)人: | 台湾爱司帝科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 田婷 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法包括:
提供一荧光粉薄膜,其包括一荧光粉层以及包覆所述荧光粉层的外包覆层,所述荧光粉层包括彼此相互紧密连接的多个荧光粉颗粒;
将所述荧光粉薄膜放置在一液体槽内的一液体的液面上;
使用一溶剂以溶解所述外包覆层,以使得所述外包覆层完全脱离所述荧光粉层,并使得所述荧光粉层裸露而出;以及
执行步骤(A)或者步骤(B);
其中,所述步骤(A)为:将所述液体渐渐从所述液体槽内泄除,而使得所述荧光粉层渐渐接近预先放置在所述液体槽内的底面上的一发光二极管芯片,直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面;
其中,所述步骤(B)为:预先放置在所述液体槽内的一发光二极管芯片通过一抬升设备的抬升而渐渐接近所述荧光粉层,直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于,在所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的步骤后,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括:
形成一荧光粉保护材料于所述荧光粉层上,所述荧光粉保护材料覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面;以及
通过光照或者加热以固化所述荧光粉保护材料,以形成覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面的一荧光粉保护层。
3.一种发光二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法包括:
提供一荧光粉薄膜,其包括一荧光粉层以及包覆所述荧光粉层的外包覆层,所述荧光粉层包括多个荧光粉颗粒;
移除所述外包覆层,而裸露出所述荧光粉层;以及
让所述荧光粉层覆盖于一发光二极管芯片上;
其中,在移除所述外包覆层的步骤中,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括:
将所述荧光粉薄膜放置在一第一位置上,所述第一位置为位于一第一液体槽内的一第一种液体的液面上;以及
使用一溶剂以溶解所述外包覆层,以使得所述外包覆层完全脱离所述荧光粉层。
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于,在让所述荧光粉层覆盖于所述发光二极管芯片上的步骤中,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括:
将所述荧光粉层移至一第二位置上,所述第二位置为位于一第二液体槽内的一第二种液体的液面上;以及
执行步骤(A)或者步骤(B);
其中,所述步骤(A)为:将所述第二种液体渐渐从所述第二液体槽内泄除,而使得所述荧光粉层渐渐接近预先放置在所述第二液体槽内的底面上的所述发光二极管芯片,直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面;
其中,所述步骤(B)为:预先放置在所述第二液体槽内的所述发光二极管芯片通过一抬升设备的抬升而渐渐接近所述荧光粉层,直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面。
5.根据权利要求3所述的发光二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于,在让所述荧光粉层覆盖于所述发光二极管芯片上的步骤中,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括:执行步骤(A)或者步骤(B);
其中,所述步骤(A)为:将所述第一种液体渐渐从所述第一液体槽内泄除,而使得所述荧光粉层渐渐接近预先放置在所述第一液体槽内的底面上的所述发光二极管芯片,直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面;
其中,所述步骤(B)为:预先放置在所述第一液体槽内的所述发光二极管芯片通过一抬升设备的抬升而渐渐接近所述荧光粉层,直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面。
6.根据权利要求3所述的发光二极管芯片封装结构的制作方法,其特征在于,在让所述荧光粉层覆盖于所述发光二极管芯片上的步骤后,所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括:
形成一荧光粉保护材料于所述荧光粉层上,所述荧光粉保护材料覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面;以及
通过光照或者加热以固化所述荧光粉保护材料,以形成覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面的一荧光粉保护层。
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