[发明专利]一种可用于显示器件的防紫外辐射结构及其制备方法在审
申请号: | 202010199955.X | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111269599A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 周殿力;侯思辉;高林;于军胜 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C09D5/00 | 分类号: | C09D5/00;C09D7/63;C09D7/61;C09D7/40;C09D7/20;B05D7/24;B05D3/14;G09F9/00 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 轩勇丽 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 显示 器件 紫外 辐射 结构 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种可用于显示器件的防紫外辐射结构及其制备方法,所述防紫外辐射结构至下而上由基底、紫外辐射薄膜组成,所述防紫外辐射薄膜总厚度在18μm以下,所述防紫外辐射薄膜的原料包括以下成分:混合溶剂65~35%,防紫外辐射剂25~55%,保护剂10%;所述防紫外辐射剂为仙人掌表皮萃取液。本发明所选取的加入乙二醇做溶剂的纳米级多孔SiO2具有多孔结构,溶剂绿色环保、成膜具有可弯折特性,并且在与防紫外辐射剂混合喷涂烘干处理后会利用其多孔结构增加有效比表面积的特点,且能制备出微米级别的薄膜,大大降低了防紫外辐射薄膜厚度的量级。
技术领域
本发明涉及防紫外辐射材料技术领域,具体涉及一种可用于显示器件的防紫外辐射结构及其制备方法。
背景技术
显示设备作为人机交互最主要的方式之一,在社会生活中起着越来越不可替代的作用。而且随着显示设备多功能化、集成化、小型化和柔性化程度越来越高,环境变化对显示设备性能的影响变得越来越明显和突出,成为了显示设备在设计过程中要解决的主要问题之一。其中,紫外辐射会影响显示设备中功能性分子的排列方式,甚至破坏其分子结构,因此过强的外部紫外辐射环境会导致内部电路老化加快,破坏显示设备内部器件结构降低器件寿命,严重拖延了显示器件在各种环境条件下大规模应用的进程。因此,防紫外辐射问题在设计大规模集成电路和封装显示设备的过程中应该被重点考虑。
当前显示设备制造过程中常用的防紫外材料为有机防紫外材料,由于大部分有机分子附着力较差、温度敏感性太高、成膜不稳定易分解,加上有机分子对紫外辐照敏感,暴露于紫外光照下结构及其不稳定,因此此类防紫外分子不能大规模应用,需要继续改进。同时多孔二氧化硅(SiO2)由于在结构和防水性方面的优势已经逐渐被应用到光电子器件的防护制备中,并且取得了一定效果。然而,由于现有的SiO2防紫外辐射材料所用溶剂大部分含有苯等有毒不环保成分,且由于工艺方面的限制,SiO2防紫外辐射薄膜的厚度都在几厘米以内,这种厚度的薄膜会严重限制显示设备的柔性化和大面积化进程。加上SiO2薄膜在制备的过程中成膜的均匀性很难保证,这不仅会提高电子产品的成本而且会降低产品的成品率和效率。这些都是亟待改进的问题。
发明内容
本发明的目的在于:针对上述现有的SiO2防紫外辐射材料所用溶剂大部分含有苯等有毒不环保成分,且由于工艺方面的限制,SiO2防紫外辐射薄膜的厚度都在几厘米以内,严重限制显示设备的柔性化和大面积化进程、降低产品的成品率和效率的问题,本发明提供一种可用于显示器件的防紫外辐射结构及其制备方法。
本发明采用的技术方案如下:
一种可用于显示器件的防紫外辐射结构,所述防紫外辐射结构至下而上由基底、紫外辐射薄膜组成,所述防紫外辐射薄膜总厚度在18μm以下,所述防紫外辐射薄膜的原料包括以下成分:混合溶剂、防紫外辐射剂和保护剂;
混合溶剂 65~35%
防紫外辐射剂 25~55%
保护剂 10%;所述防紫外辐射剂为仙人掌表皮萃取液。
优选地,所述防紫外辐射薄膜总厚度在6-15μm之间。
优选地,所述仙人掌表皮萃取液为将高浓度仙人掌表皮萃取液通过甘油稀释为质量分数为0.05-0.2%的仙人掌表皮萃取液。
优选地,所述高浓度仙人掌表皮萃取液的质量分数为10-30%。
优选地,所述混合溶剂包括以下体积份数的组分:乙二醇18-30份、高分子聚电解质型731分散剂10-20份、硅烷偶联剂YGO-1204 18-30份以及质量比为0.5%的氮化硼水溶液25-45份。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010199955.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。