[发明专利]一种新型红外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种新型红外探测器制备方法，其特征在于：包括

1)Si衬底上生长高阻GaN缓冲层；

2)高阻GaN缓冲层上生长本征掺杂GaN层；

3)本征掺杂GaN层上选淀积一层氧化铝；

4)氧化铝上生长一层红外吸收材料，并通光刻、刻蚀工艺选择性刻蚀掉氧化铝和红外吸收材料；

5)在无氧化铝的本征掺杂GaN层区域上，淀积叉指型金属电极和反射金属栅；

6)选择性刻蚀Si衬底，形成隔热槽。

2.根据权利要求1所述的新型红外探测器制备方法，其特征在于：所述1)中的高阻GaN缓冲层厚度为0.2μm～4μm。

3.根据权利要求1所述的新型红外探测器制备方法，其特征在于：所述2)中的本征掺杂GaN层厚度为0.5μm～2μm。

4.根据权利要求1所述的新型红外探测器制备方法，其特征在于：所述3)中的氧化铝钝化层厚度为20nm～200nm。

5.根据权利要求1所述的新型红外探测器制备方法，其特征在于：所述4)中的红外吸收材料为炭黑、纳米CuS、纳米银导材料等红外热敏材料，厚度0.1μm～10μm。

6.根据权利要求1所述的新型红外探测器制备方法，其特征在于：所述5)中的叉指型金属电极和金属反射栅，其中叉指金属或金属栅条间距为1～5μm，30～100个周期。

7.根据权利要求1所述的新型红外探测器制备方法，其特征在于：所述6)中的隔热槽，其位置于氧化铝的正下方，且大于氧化铝的面积。

8.一种根据权利要求1-7之一所述方法制得的新型红外探测器。