[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010200318.X | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN111725262A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 曺永振;文重守;边敏雨;金阳完 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张逍遥;张晓 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域和非显示区域;
参考电压供应线,设置在所述非显示区域中并且被构造为传输参考电压;以及
驱动电压供应线,设置在所述非显示区域中并且被构造为传输驱动电压,
其中,所述参考电压供应线包括直线部分和曲线部分,所述直线部分在第一方向上延伸,所述曲线部分从所述直线部分延伸为弯曲的,并且
所述参考电压供应线的所述曲线部分沿着所述显示区域的外围设置。
2.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
参考电压连接线,在与所述第一方向交叉的第二方向上从所述参考电压供应线延伸;
参考电压线,在所述第二方向上在所述显示区域中延伸;
驱动电压连接线,在所述第二方向上从所述驱动电压供应线延伸;以及
驱动电压线,在所述第二方向上在所述显示区域中延伸,
其中,所述参考电压线通过开口电连接到所述参考电压连接线,并且
其中,所述驱动电压线通过开口电连接到所述驱动电压连接线。
3.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括:
氧化物半导体晶体管和多晶半导体晶体管,所述氧化物半导体晶体管包括氧化物半导体层,所述多晶半导体晶体管包括多晶半导体层,
其中,所述氧化物半导体晶体管包括驱动晶体管,并且
所述驱动晶体管的栅电极与所述参考电压供应线设置在同一层上。
4.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括:
栅极驱动器,设置在所述非显示区域中;
初始化电压供应线,在所述第二方向上在所述非显示区域中延伸;
栅极信号输出端子,连接到所述栅极驱动器;以及
栅极信号连接线,通过开口连接到所述栅极信号输出端子,
其中,所述初始化电压供应线与所述栅极信号连接线设置在同一层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
与所述参考电压供应线的所述曲线部分相邻的像素以台阶形状布置,并且
所述栅极驱动器和所述驱动电压供应线在与所述参考电压供应线的所述曲线部分相邻的区域中与所述参考电压供应线的所述曲线部分在相同的方向上弯曲。
6.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域和非显示区域;
缓冲层,设置在所述基底上;
多晶半导体层,设置在所述缓冲层上;
下栅极绝缘层和下栅极导电层,设置在所述多晶半导体层上;
氧化物半导体层,设置在所述下栅极绝缘层上;
上栅极绝缘层,设置在所述氧化物半导体层上;
上栅极导电层,设置在所述上栅极绝缘层上;
层间绝缘层,设置在所述上栅极导电层上;以及
第一数据导电层,设置在所述层间绝缘层上,
其中,所述上栅极导电层包括:参考电压供应线和参考电压连接线,设置在所述非显示区域中并且被构造为传输参考电压;以及驱动晶体管的栅电极,设置在所述显示区域中。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述第一数据导电层包括在所述非显示区域中被构造为传输驱动电压的驱动电压供应线和驱动电压连接线,并且
所述参考电压供应线包括直线部分和曲线部分,所述直线部分在平面图中在第一方向上延伸,所述曲线部分从所述直线部分延伸为弯曲的。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,
所述下栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和设置在所述下栅极导电层上的第二栅极绝缘层,
所述下栅极导电层包括被构造为传输初始化电压的初始化电压线和被构造为传输发光控制信号的发光控制线,并且
所述上栅极导电层还包括被构造为传输栅极信号的栅极线、被构造为传输电压控制信号的电压控制线和被构造为传输初始化控制信号的初始化控制线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的