[发明专利]超薄含氧氮硅薄膜的制备方法及其在钝化接触电池中的应用

权利要求书

1.超薄氮氧氮硅薄膜的制备方法，其特征在于，步骤包括：

1)将硅片表面清洗干净；2)在PECVD中，通入NH₃或N₂或其他含氮源但是不含氧源的气氛，并打开等离子体，解离所通入的气氛，并使硅片表面氮化；通过调节温度、等离子体功率、压力、气体流量参数调节表面氮的浓度和含氮层的深度；3)将表面已氮化的硅片进行氧化处理，从而形成氧氮硅层材料；4)接着，对表面氧氮硅层再进行一次PECVD表面氮化处理，形成氮氧氮硅层，氮氧氮硅层的厚度在5nm以下；5)在表面制备p型硅薄膜层。

2.根据权利要求1所述的超薄氮氧氮硅薄膜的制备方法，其特征在于，省略步骤4)，依次按照步骤1)、步骤2)、步骤3)、步骤5)进行，制备得到氧氮薄膜，厚度在5nm以下；或者省略步骤2)，依序按照步骤步骤1)、步骤3)、步骤4)、步骤5)进行，制备得到氮氧薄膜，厚度在5nm以下。

3.根据权利要求1或2所述的超薄氮氧氮硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中氧化处理方式至少包括以下一种方式：采用氧气或氮气/氧气混合气或笑气进行高温热氧化处理，采用臭氧氧化，采用笑气、二氧化碳进行等离子体辅助氧化，采用热硝酸、热硝酸硫酸混合酸进行湿化学氧化。

4.根据权利要求1或2所述的超薄氮氧氮硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3)的氧化处理方式为采用笑气作为保护气进行高温热氧化处理，退火温度为400℃-900℃。

5.根据权利要求1所述的超薄氮氧氮硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤4)中氮氧氮硅层厚度为1.5nm-3.5nm。

6.根据权利要求1或2所述的超薄氮氧氮硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤5)中p型多晶硅层的制备方法为：LPCVD法或PECVD法或不同物理气相沉积法直接制备掺杂多晶硅或掺杂非晶硅层；或者先沉积本征多晶硅或非晶硅，进而通过高温扩散、离子注入结合高温退火方式实现制备掺杂多晶硅，其中，退火温度需要在800℃以上。

7.根据权利要求6所述的超薄氮氧氮硅薄膜的制备方法，其特征在于，结合高温退火时退火温度是880-1100℃。

8.权利要求1或2的制备方法在钝化接触电池中的应用，用于制备钝化接触电池中的钝化接触结构。