[发明专利]一种采用压电材料的微型发光二极管转印组件及转印方法在审
申请号: | 202010200477.X | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN111383967A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 周圣军;蓝树玉;雷宇;钱胤佐 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/20;H01L33/48;H01L41/09 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 彭艳君 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 压电 材料 微型 发光二极管 组件 方法 | ||
1.一种微型LED结构体,其特征是,微型LED结构体包括水平型结构、垂直型结构和倒装型结构中的任意一种,且微型LED结构体中心有一通孔,与目标基底上的微型管相对应。
2.如权利要求1所述的微型LED结构体,其特征是,1μm≤通孔直径≤50μm。
3.如权利要求1所述的微型LED结构体,其特征是,目标基底上分布有微型管阵列,1μm≤微型管高度≤100μm,1μm≤微型管直径≤50μm,且微型管直径略小于通孔直径;目标基底选用蓝宝石、硅、碳化硅中任意一种。
4.基于权利要求1所述微型LED结构体的转印组件,其特征是,包括带有孔阵列的转印基板、形成在转印基板背面的驱动电路、填充于转印基板孔阵列中的压电材料、形成在压电材料或转印基板上的粘附层,压电材料受控于驱动电路。
5.如权利要求4所述的转印组件,其特征是,10μm≤孔阵列的高度≤20μm,且每个孔的尺寸小于微型LED结构体的尺寸。
6.如权利要求4所述的转印组件,其特征是,压电材料采用通电后收缩或伸长的材料中的一种,其表面略凸出于或略低于转印基板。
7.如权利要求4所述的转印组件,其特征是,粘附层为水玻璃、合成树脂、合成橡胶中任意一种。
8.利用权利要求4-7任一权利要求所述的转印组件的转印方法,其特征是,包括以下步骤:
步骤1、在生长基底上形成外延结构体,通过从外延结构体去除生长基底并进行蚀刻形成单个微型LED结构体;给每个微型LED结构体打上通孔;
步骤2、制造转印组件;制成具有孔阵列的转印基板,将驱动电路设置在转印基板背面;压电材料填充于转印基板的孔阵列中,受控于驱动电路,表面略凸出于或略低于转印基板;粘附层设置在压电材料或转印基板上;
步骤3、制造目标基底;在目标基底上刻蚀形成微型管阵列,且微型管阵列与微型LED结构体的通孔相对应;
步骤4、将多个微型LED结构体通过粘附层结合到压电材料或转印基板上;
步骤5、选择性地对每个压电材料通电,使通电后的压电材料收缩或伸长,导致压电材料或转印基板上粘附的微型LED结构体单独或以阵列形态在孔口顶落或在孔口被压电材料顶落,顺着目标基底的微型管转移至目标基底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造