[发明专利]半导体装置用接合线在审
| 申请号： | 202010200779.7 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111383935A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 小山田哲哉;宇野智裕;出合博之 | 申请（专利权）人： | 日铁化学材料株式会社;日铁新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/49;C22C9/06;C22F1/02;C23C30/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有Cu合金芯材、和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，
所述Cu合金芯材包含Ni，相对于线整体，Ni的浓度为0.1～1.2重量％，
所述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。
2.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述Pd被覆层上还具有Au表皮层。
3.根据权利要求2所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Au表皮层的厚度为0.0005～0.050μm。
4.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Cu合金芯材还包含选自B、In、Ca、P、Ti之中的至少1种元素，相对于线整体，所述元素的浓度为3～100重量ppm。
5.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Cu合金芯材还包含Pt或Pd，所述Cu合金芯材中所含有的Pt或Pd的浓度为0.05～1.20重量％。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述接合线的最表面存在Cu。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
