[发明专利]半导体装置

说明书

公开了一种半导体装置。提供了在包括能够不使用专用装置而通过外部信号来进行调整的微调功能的半导体装置中使动作更加稳定化的半导体装置。包括：被调整电路(305)，其被设为能够通过熔丝来调整输出特性，该熔丝是基于熔丝信号(FS)来被控制的；控制电路(306)，其将内部电源设为电源，生成控制信号(A、B)，该内部电源具有对外部电源的电压进行变换得到的变换电压，该控制信号(A、B)是基于输入的试验信号而生成的，能够取代熔丝信号(FS)来对被调整电路(305)进行调整；以及选择电路，其在外部电源接通后，在内部电源稳定之前选择熔丝信号(FS)，并且在内部电源稳定之后选择控制信号(CS)。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，特别是涉及一种具备微调功能的半导体装置。

背景技术

微调(trimming)功能是指通过从外部改变与半导体装置内的电路相伴地设置的元件的元件值来使该电路的特性接近于期望的特性的功能。例如，在包括模拟电路的半导体装置中，进行如下的动作：内置能够调整该模拟电路的特性并且能够通过熔丝来改变值的分压电路，并对该模拟电路的制造处理中的偏差进行调整。将该情况下的分压电路的分压比的调整称为使用熔丝的微调功能。还存在通过由修复装置进行的激光修复来进行分压电路的电阻值的调整的情况。

作为与微调功能关联的技术，在专利文献1中公开了基准电压产生电路和基准电压电路，该基准电压电路接收该基准电压产生电路的基准电压，并通过调节器电路进行放大，将该放大后的输出进行分压并产生第一基准电压和第二基准电压。在该基准电压电路中，调节器电路具有：运算放大器；第一分压电路，其将该放大输出作为第一基准电压进行输出，通过电阻R1与R2的串联电路对该放大输出进行分压，将该分压电压作为第二基准电压进行输出；以及第一微调电路，其与第一分压电路并联连接，对第一基准电压进行分压，将进行该分压得到的电压微调整为与所述基准电压产生电路的基准电压接近的值并负反馈给所述运算放大器。

虽然如上述那样的微调功能在各种各样的电路中使用，但是作为应用领域的一个例子，例示以专利文献1为代表的电源电路中的输出电压的调整来进行说明。存在向半导体装置的内部逻辑电路供给的供给电压被设为从外部电压降压后的内部电压以尽可能地减少内部逻辑电路的消耗电流的情况。更具体地说，这样的电源电路搭载有调节器电路，该调节器电路根据外部电压生成带隙基准电压(下面存在称为“VBG”的情况)，以该VBG为基准产生需要的内部电压。

在使用上述调节器电路向逻辑电路供给固定的内部电压的半导体装置中，一般而言由于处理偏差的影响而难以使内部电压固定，因此还存在通过在调节器电路内设置分压电路并进行对该分压电路的调整从而保持不受处理偏差影响的固定的内部电压的情况。

在图4中示出比较例所涉及的调节器电路100的结构。如图4的1所示，调节器电路100构成为包括电流镜像101、差分电路102、输出电路103以及分压电路104。如图4的2所示，分压电路104具备接收熔丝输出(在图4的2中表述为“FUSE输出”)来变更电阻值的熔丝控制电阻(在图4的2中表述为“FUSE控制电阻”。下面为“控制电阻”)105。此外，在下面存在将“熔丝”表述为“FUSE”的情况。

专利文献1：日本特开2002-91581号公报。

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述的调节器电路100的电路结构中，存在如下问题：在进行FUSE的微调评价时，需要使用修复装置进行激光修复中的FUSE切断，因此在身边没有修复装置的情况下进行评价需要花费时间。另外，由于FUSE一旦切断则无法恢复，因此在多次进行用于变更微调表(表示微调对象元件的元件值的组合的表)的评价的情况下，还产生需要大量的半导体装置(半导体芯片)的问题。虽然在半导体芯片的数量充裕的情况下没有问题，但是在多次改变微调表来进行评价的情况下需要数量庞大的半导体芯片。